GaAs%2fAlGaAs量子阱红外焦平面阵列探测器和相关问题的研究.pdfVIP

GaAs／AIGaAs量子阱红夕卜焦平面阵歹Ⅱ探测器及相关阅题的研究 李娜李宁陆卫袁先漳刘兴权窦红飞李志锋沈学础 f中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家实验室，上海2(10083) 从1987，Choi和Leviene发表了一系列文章阐述红外探测器的基本原理，并证明了{；c子带输运 为基础的红外探测方法。在至今十二：年问，对量子阱红外技术有了广泛和深入的研究，在这些量 子阱结构中，量子阱子带输运的激发态被设计在势垒的边缘或稍低于势皇顼，以便获得最优化的 探测灵敏度。开始时，由于势垒较薄，在低温工作状态下，探测灵敏度没有明显的提高，Levinen 等于1990年通过增加势垒厚度，抑制隧穿电流，改善了温度灵敏度，井使之适合于探测阵列器 量子阱红外探测器手持式摄像机。国内研究人员从90年代初开始GaAs／AIGaAs量子阱结构设计 和材料生长以及红外探测器的研制。从单元器件开始，以12元和128元线列扫描红外探测器阵 列为基础，研制成功了二维64564焦平面红外成像探l捌嚣，并进行了理论和实验研究。 十多年的研究过程中，从子带输运的基本理论到实用探测器阵列的实现，解决了若干理论和 实践问题，主要涉及以下几方面，如材料生长，工艺制作，光学耦台效率，器件暗电流及探测波 段和探测响应率等。 分子京外延法(MBE)是研究量子阱材料的常用生长方法。此方法能够较好地生长精细结 构和控制掺杂浓度，满足量子阱结构设计的要求。用金属有机化台物汽相沉淀法(MOCVD)生长 同样结构的量子阱材料，其器件性能的差别主要出生长层的界面不同造成。目前的GaAs／AIGaAs 量子阱结构多采用导带中柬缚态向准柬缚态的光馓发跃迁形式，其结构是崩MBE法在(100) 1017cm一，势垒中A 成的量子阱区．和n*-GaAs上电极层。势阱中硅的掺杂浓度为5x J含量为0．3， 用于探测器结构的上下电极屠n％G-,iAs的厚度是l“m，Si掺杂浓度为I×10”cm～。基于薛定鄂 方程，上述结构参数如阱宽和AJ含量等决定了量子阱中基态和激发态的位置从而确定了探测峰 值波长在8um附件和截止波长人于10rtm，如图I。 由于鞋子阱对芷八射光是不吸收的，只有利用波导和光栅使芷入射光改变方向，同生长方向 有～偏角，才能产生光吸收。根据计算量子阱光吸收的最强的优化角为45℃，两种比较简单的 光耦合方式是布儒斯特角入射和45C光波导耦台A射。对量子肼红外探溅器，上述两种光耦台 方式对器件芯片的几何尺寸和配置均有严格的限制和要求。一般只在原理型器件中研究物理特性 时采用。为了实现焦平面面阵，多粟用衍射光棚祸台方式，一般分为刻蚀型、金属沉积型和它们 的混台型。目前多采用刻蚀型。刻蚀掣光栅是通过化学腐蚀和离子刻蚀在探测器芯片表匠形成周 期性的特殊图形。因为GaAslAIGaAs量子J|j}红外探测器的探铡波段在8—12ram，根据光栅方光 栅周期应为3--45p．m。根据我们的工艺条件目前采用41sm周期的光棚．刻蚀深度08pro。 186 红外探删器的综合特性黑体揉测率由下式给出： D+以，矿)=胚R0，V)／id…·(1) 其中A为器件光响应面积，B为频率带宽，器件响应率R和暗电流噪声ia分别为 胄缸，矿)。掣…．(2) Zhc ‘=厕…-，(3) 其中光导增益2由热电子平均自由程，和实际器件长度￡决定，即占=^z。由(2)式可看出光学 耦台因子p，吸收系数a、载流子寿命和漂移速率决定了器件响应率的大小。同时响应率与器件 偏压有报强的依赖关系，随着偏压的增加响应率近似线性增加并在4V附件达到峰值，如倒2。 暗电流厶是G删AIGaAs量子阱红外探测器一个基本特性参数，器件暗电流由逃逸出量子阱进 入连续态的热激发电子和隧穿电流组成。如果势垒足够厚(300rm)，则隧穿电流可以忽略不计。 理论和实验数据表明：77K温度F‘，器件偏压在--3V跗近时，暗电流的数量级在101(A)。量 子阱材料的生长质量对器件特性的影响也是至关重要的。 将阵列探测器匍玻焦平面成像系统的重要环节是与读出电路的互联。目前多