AlGaAs%2fInGaAs%2fGaAs+PHEMT分子束外延材料生长探究.pdfVIP

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2017-08-14 发布于安徽
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A1GaAs／InGaAs／GaAs PHEMT分子束外延材料生长研究陈吴商耀辉武一宾信息产监部电子13酝j石家庄亩．合作路j113号＆＆编050002 Teh 3II7045695 86—31t·7041921-eXl．8594,Fax+86 GaA S基PHEMT分子束外延材料是目前在微波和毫米波生产、研究领域应用最广泛的材料之一。 PHEMT材料的生长工艺及工艺优化。 BIn02As／GaAs 本文着重探讨单6＆平面掺杂Aln妒地∞As／Gao MBE 生长实验是在Riber 32上进行的。固态源均是进口材料，其中In、Ga、As的纯度为7N．Al 1：1腐蚀等净化处理。外延生长时衬底温度通过Ircon PHEMT分子束外延材料结构如Fig．1。 Material 生长前，在生长 { ，室内、在As压下把 ^101rJG屯，oAs {T,^500C√ GaAs衬底加热到590 GaAS U 若一 ℃处理10分钟，脱 △ o ，一 S u’ m 氧化层。当RHEED Ga0．alno．2A a《 CL r廿 120～150A Sub． 0 《 U 观察衬底表面已洁 10000Abuffer channe『。《净、氧化层已脱掉 n o n 后，加热到660℃．衬底表面显示为(3× Growthdirectionr100) 1)结构，停留5rain． S 后降到550℃。 ofthe forAIGaAs／TnGaAs／GaA Schematic design Fig．1 layer PHrMTqtruclures 地E‘“i‘虻^nhmsemtEr^m 冲层，。生长速率为o84 BEP。在此条件下