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La2NiO。薄膜的制备及其氧敏特性的研究+
李晓雷,徐廷献
(天津大学材料学院,天津300072)
摘薹t本实验以无机盐为原料。采用溶肢麓肢法制 有高温稳定性、二维导电性、半导体导体转换特性、
备了工赴Njq薄膜,井在中挂和弱还原气氕下得到了 高强超导性等特性,引起人仍极大的关注.其催化
性能近年来已得到了广泛研究.考虑到材料的气敏
单一的K2NiFI相.谊薄腱蛄构均匀。为一种多孔的蚋
米粒子腱.测试结果表明,e如NiO,薄膜具有良好的效应与倦化活性之阔存在着内在的联系.因此探索
电阻湿度稳定性和较好的氧戢特牲. 其作为气教材料的应用是报有前景的M.
美薯词:氲敏}溶胶-凝胶;LB抖iq
2实验
1引言
2.I尊一的制鲁
为解决汽车捧放带来的污染问题t近年来汽车 本实验采用的方法为无机盐溶胶·氍胶i击,以金属
用氧传感器得到了迅速发展.年需求量达数千万只. 硝酸盐为原料柠懈为瞢台剂,乙二醇为交联卉叽接适
现今得到应用的主要为ZrO:固体电解质型.但金属 当比倒配成溶液。将洗净的Alfq基片浸入溶液中.
氧化物半导体气敏材料.固其具有体积小、结构简 然后以一定的速度提拉出来.在基片的表面形成一
单、价格便宜、抗铅能力强等优点成为目前研究的 层均匀的液膜(浸法法).在烘箱中干燥后,进行预
热点“i。 烧处理,重复以上步骤t直至薄膜厚度达到要求·
近年来.稀土复合氧化物作为功能材料的研究 最后进行烧成处理a
日益广泛.其中具有钙钛矿和类钙钛矿结构的镥、 2.2测试
钴、镰稀土复台氧化物,不但是一类重要的催化荆. 用sEM观察薄礁表面形貌,用Ⅺ∞检硼薄膜
而且还有着良好的半导体性质·其中A:BO.型类钙
结构。在自制的系统中,采用动态法测量薄膜的氧
钛矿稀士复合氧化物属于K2NiL型四方结构·可以
敏性能.以H2为载气,H—N2为还原气氛,0—N2为
看成由劈钛矿层与盐岩层交叠而成的化合物·其理
氧化气氛.在测试过程中两种气氛交替变换-并通
想结构如图1所示.这类结构特殊的复合氧化物具
过计算机实时来集样品电阻的变化·
3结果与讨论
3.1氲敏机理探讨
L8州}0.是P型半导体。其中N{H与Nj峡存·
当材料与氯化性气体接触时。发生下列反应
1,202+ne叶04■
Ni址岫●.+Ni¨
此时氧将从半导体表面俘获电子.使P型半导体载漉
子浓度增加。电阻碱小·
当材料与迁原性气体接触时t发生下列反应:
H,俨■一玛。岫e
Ni’‘憎
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