MOCVD生长GaN黄带发射退火研究.pdfVIP

MOCVD生长的GaN黄带发射的退火研究 周玉刚张荣娄明李卫平陈志忠陈鹏顾书林施毅郑有蚪 南京大学物理系南京210093 III族氮化物在光电子器件，以及高温、高频、大功率微电子器件方面有着重大的应用 前景。近年来III族氮化物在材料生长和器件研制方面均有重大进展。黄带发射是GaN材料 中一种与缺陷有关的的光发射现象。通过对黄带发射的研究，可以了解黄带起源，研究其发 光机制及相关杂质缺陷行为等，最终实现控制相关杂质缺陷，提高器件质量，有着重要的物 理意义和使用价值。因而，黄带的研究有着重要的物理意义，也一直是GaN材料研究中的热 点。 关于黄带的解释还存在许多争论。基本上可以分为两种对立观点：一种认为黄带发射是 价带到或浅施主能级到禁带下半部的深能级之间的跃迁；另一种认为是从禁带上半部的深 能级到导带或一个(相对)浅施主能级之间的跃迁。人们用不同方式对黄带起源的微观本性 空位对黄带发射的形成起关键作用；Zhang和Kuech认为，黄带发射是多起源的。 我们研究了NIt3退火和N2退火对黄带的影响，得到了关于黄带结构和起源的一些信息。 样品采用～fOCVD方法生长，衬底为(0001)晶面的仪一A1 203，生长温度为约1000度。样品 为纤锌矿结构GaN，非故意掺杂n型。外延层生长结束后基本未作退火处理。实验中使用了 三小片样品，编号为l号，2号和3号，是从同一大片样品上切分下来的。 我们将l号样品与2号样品按如下程序进行退火。首先，1号样品在N2气氛下退 3号样品不做退火测量PL谱。 两个部分，我们分别称之为高能部分和低能部分。高能部分在NH3退火后增强，在N2退火 后降低，低能部分在NH3退火后降低，在N2退火后增强。交换退火气氛的结果表明，对于 高能和低能部分，以上过程都是可逆的。 N2退火和的不同在于，N2退火是一个脱氢过程，且不会引入杂质，而NH3退火则是～ 个氢化过程，即引入氢的过程。据此分析表明，低能部分对应一深的施主缺陷，该施主缺陷 能与H受主结合形成[D十一H一]复合体。氢化可以增加复合体密度，从而使低能部分减弱，脱 氢则减少复合体密度，从而使低能部分增强。而高能部分对应的能级由则是H激活的，氢化 对其有加强作用，脱氢则对其有肖0弱作用。高低能部分的退火行为的可逆性表明，两个部分 对应的能级具有亚稳态性质。高低能部分对氢化和脱氢的不同行为还表明，黄带发射的起源 是多种机制共同作用的结果。缺陷和杂质对黄带的产生都有重要作用。我们的实验证实了缺 陷的作用，同时显示了H对黄带有不可忽视的影响。 lOl