BaTiO-%2c3-晶体铁电畴的扫描电子声显微镜地研究.pdfVIP

研究’ 倍，因此沿c轴形成强度26×10-ZC／m的自发极化．铁电体内具有相同自发极化的区域， 称为铁电畴．它是铥患撼赫特有的结构特征，畴的极化转向也是铁电显示和存储的物理 基础．丽它的极化变化也直接关系着压电材料的极化与老化．因此，对铁电畴的观察研 究，对材料的铁电特性的研究与应用开发是非常重要的． 扫描电子声显微镜(SEAM)是利用聚焦电子柬与试样相互作用，产生携带焦斑区试 样力学、热学和电学性质的声波信号，并由此实现材料的亚表面高分辨率成像的新技术 fl】．在材料电学特性的检测中，聚焦电子柬自身产生的电场与试样的作用是重要的．对 于压电材料，该电场将引起材料电致伸缩而形成压电激励源，由此而实现材料电学结构 的SEAM成像． 在加速电压V(kv)作用下，聚焦人射密度为p(彰cm’)的试 样的电子柬，可近似认为电子主要集中在中心距表面 磊=7压P(岬)，半径为a龅球体Vc内，球内电荷密度 pr=一Q／圪(图1)．这样，对于对称轴xl，x2和x3方向上介 电常数分别为￡1，，￡22和￡，3的压电晶体，由pf所形成的电位十， 电场Ej，以及沿x3方向的位移岫和应力T3，在准静态近似fF地 满足以下方程组和边界条件： 图l电子粜形成的电压埠 Dm=pf，Di=sqEi．E。：一毋| (I) 五=《毪j一％日，正，，=o (2) 五=0(毛=0)，码=0[在(0，0，=0)点】 (3) 由此，可以得到在u应变均．。： ‰嘞E+％疋+％易一臻c码叫一鬈喙”卺甸∽ 球面上的平均应变；”)。： 西，)。=葛磊+-．Q焉e33(±分别对应屯：而两个半球面的结果) (5) 当BaTi03晶体的电畴c轴是沿函轴方向，印它的a轴是薨轴方向时有 (±分别对应毛：毛髓个半球面的结果) (6) ^3．，)础=热 ‘本工作得到国家自然科学基金及中科院无机功能材料开放实验室资助 ·325 产生了BaTi03晶体中9矿畴结构的SEAM像的反差． 对于 c蠹=0．18×10‘2N／m2，c要=0．30×1012N／m2【2】．因此，由式(5)和(6压电源表面的平 均应变之比砭．，)。，暖，)。为： 站：强一粥4 乏，，k％磷…。 由此可见，对于c轴不同取向的电畴，在SEAM像中将形成很强的反差，这不仅由 于声渡幅值上有强弱，更主要的是由于e∞与e3l的反号，使声波相位上有E的相整而形 成明显的像的反差． x 0 图2㈣是10×10 x 正交的90畴的结构．对于÷126mm的BaTi03压电陶瓷也进行了SEAM成像．由于 SEAM像． 因此，利用SEAM对压电晶体进行研究时，电子柬将同时形成热弹源和压电源．由 于电子柬本身激发的电场及材料的压电特性，形成了与焦斑尺寸相当的压电源，丽材料 本身的各向异性，尤其是压电常数的反号，使不同取向的辟结构形成了高质量的反差像． 因此，SEAM是一种非常有效的研究铁电畴的成像新技术． 一一 圈2BaTi03晶体的(a)SEM像和(b)sEAM像，芦119．IKhz I目●mlmjⅧliaI，“■—JI■_-， 参考文献 beam-ac