P型Si上Ni-Pd薄膜的电沉积和XRD研究.pdfVIP

数值逐街增大．遗一现象表明．亥葺壁蔫砬暑中 缘的位置不再固定t而是随着外t：毛三的变化上下 的电位跃变随外加电压变化而变化．从毛：!上海，在 移动．此时出现费米能级的钉扎现象．虹懿电位主要 半导体电极上外加电压主耍降落=岜空i亏芽兽中一 降落在H氏双层中． 亥姆疆茨双层电容变化很少，如果取是皂；轵电位 表l是P—s·／电解液体系亥毫霍萤层电套与 改变很大，说明在半导体表面上存在高告喜表蓄悫- 外加偏压的关系，当电位从一0．2V至也到一1．OV对， 这些表面志遥常与电报吸附溶液中舍呈圣弓育兰． c。增加一1、数量缀以上．半导体；：主i黾荷屡毛窨 一旦金属沉积在半导体上．并形五晶矗。【．垒禽 不变，而亥姆霍茨电容大幅度壹亿：毛!；半导体黾扳 晶桉将与半导体本体处于热力学平餐蕞卷·莲立起 的行为已经过渡到金属电极，医z可■用金属皂龊 与si费术能级相等的电位，电位变化兰要雀落在盘 的理认模型予以描述。 属／电解液界面上，而半导体的费米能氧萼坟鼻吾态 参考文献 LKautek N，PaatschW．E；e：：．c．chem．Acta· 所钉扎，这些表面态是由于金属沉耘j：=l冶芷量：：。 W．SOrg 诱导所产生的表面缺陷所引起的． 1991．36．1803 W·Bet Z．SurgN，KartekW，Paatsch Banseag。sPhys 图5是沉积Cu后的P—s{／cu毫霉曩体系中- 半导体空间电荷层电容Csc随外加电笠劈蔓他．其 Chem．199L，95，1501 3．sR其里森著．是挥煌译，半导仁与皇再氧化腹鹊电 中曲线1．2分别对应锞P—Si及P—s血的Csc～ 化学．}}学出艇计I1988 9关系．由曲线可见，茁线l随着电位玎置移，空问 Rev·1959·116(1】·84 4．GartnetW．c¨】Phys 电荷层电容csc逐渐小，电位弩化主要毫落隹电荷 995 5．张国痰，(天律大学博士学位论文)·1 屡内．当电极电也在o～一0．1V电位专匿变化时， csc基本上无明显变化，这说明半导_蔓表面毙带过 53Hz) 表l P—s，，电擘夏丘采宣姆萑蕃电窑与外加c巨压的美景(f=13 ——丽———i_i_{i—磊『_i■‘i_忑■i■j百 型 ]亟叠互二互互二=j互二互匠互互巫[一旦!!!i：! P型Si上Ni—Pd薄膜的电沉积及XRD研究’ 天津大学应用化学未(300072)郭鹤桐刘冰“张国庆姚素薇 天：丰_理_L学院(300191)龚正烈 Ni—Pd舍全薄膜，考靠了阴极沉积行为，盱完了电沉积条 摘要 采用压电位沉积方式在p—Si上毒：奋1 件对踺组成的影响．并探讨1膜组成号掂鸡i々爰女．XRD测试表明Ni—Pd合金呈面心立方的王淳柞结构·其 晶面问距随合金组成不同而变化． 关键词铼钯合金 电沉积P!￡XRD Ni—Pd台盘由于其良好的导电，毒羔．耐喜性能 控电位沉积方式在p-SiJ．制备了、，-PA的粤垒渣 而成为有前途的