MOCVD法生长AIGaAs组分控制研究.pdfVIP

—垒L———————————————————————量二!．』睑塑旦焦显壅堂盎垒丛造塞基 公延宁莫金玑余海生更冠群 (中国科学院上海冶金研究所半导体材料与器件研究量， 上海2000．50) 参数对气相^1组分分羞xk和同楣^1组分含量z之间暮系的影响．结果表明，在果 用hP-140CVD景统生长^1c¨5时，在生长的廪量传擂控制医以及V胰源大大垃量的条 件下，气相舍氧淤质和源物魔气相反应等会造成A】分配系数k^l对1的有规律偏离． ?m1质量流量F。．低时．k．。偏低．F．t高时，k．。镩离．若将理论分析与实验反 应系统和具体生长条件结合起来考虑．有望对^1缎分含量达到满意控制． 关键词：AP-MOCVD。～1式a1．I^s，分配系数 1引言 质随^1在回相III族元素中的原子百分含量x而变．如何选择生长条件，以获得所需的固 态组分比x，是材料生长中必须考虑的问题．A1茹a—‘^s常甩的制备方法有液耜外延(LPB)， 生长过程中控制参数对气相^1组分含量x0和固相A1组分含量x之间关系的影响，从中显 示出AP-IVIOCVD系统在生长不同^l组分含量的A1GaAs时具有的一些特点． 2材料生长 外延系统为自铡水平AP-4IOCVD系统，采用高频加热．反应室由石英制成，内管为矩形． 5 气，井用由水平布氏法(Htl)制得的晶向为(100偏(1102-3。的掺sn--GaAs作村底，生长 温度为70弘-730。c．用x射线双晶衍射测量，值． 3实验结果分析 图1给出x测量值臆^1在气相1II族元素中的原子百分含量xL的变化情况．《系将 控制参数带入自行推导的公式(推导过程另文详述，该处略) ． F^lP．。 X^I=—●●——————=_—一 F：‘P。‘+F：’p。． 本文材料生长温 求得，其中P。和k分别为^1源和Ga源与各自设定温度对应的蒸气压． r，)1 和质量传输控制的生长过程，^1的分配系数h值臼／《)通棠接近1”’．但由图1可看出， 复查鱼垒璺虽堡蔓堡堂盘金垫造塞苤 2§ 在报导自己的工作时，虽然也指出所得h值接近1，但经比较后可看出，他们的数据也略具 有本文特点．此外，图1中还列出Woo Kjm等入‘…的数据，他们就ASH3经去H毋／02处 Sung 理和未经去H20／Oo处理两种情形分别进行了考察：后种情形他们兵结出了低^l坦分时的结 F．．的增加，“有一个突跃，丽在突跃前后，h均随F．。逐渐下降．突跃前的变化可能与气 相中消除性寄生反应的存在有关，由图!中Moo 质可与^1反应而降低气耜中^l的有效含量；随著F．。的增加，1砒l更倾向于以双分子 T姒卜佻I真g形芄存在，由此又增加了气相中^1的有效含量，且与此同时，气相中镦量H扣。 O≈的影响也趋于某一扳限，故h会腱然增大；不过，由于^1源物质在通过生长表面上方扩 散边界屡时遇到的阻力也增大了，敞h不会随F．。增大很快或一直增大，而是如图2所示， 在突跃之后呈现某种下降趋势．对双分子IMA|-础l的形成投由此而减慢^l原于向生长袁 面的扩散输迳速率的推测，与M．mzut8等人…的实验结果一致．此外，本文还考察了^1GaAs 外延层生长速率随11I族元素质量流量总和F。．tF．。变化的情况，结果表明F。．tF．，高时 ^l的消除性和增加性寄生反应的存在． 源与As源闻的各种气褶反应等也会对生长结果有影响”’．由此可见，影响h的因素是多样 和复杂的．坦通过本文分析可看出，弦们仍可通过理论计算与实际结果婀偏离来认识生长过 程，进而把握生长规律．可尽量采用商纯度或经过纯化处理的源和载气，也可在生长低^1 和高^1组分的^jca拈时，分别适当提高和降低