YBCO薄膜PHREM研究.pdfVIP

电子显微学报J．Chin．Electr．Microsc．Soc． 17(5)l525～5261998年 525 YBCO薄膜的PHREM研究 刘维吴源陈 烈李林 (中国科学院物理研究所和中国科学院凝聚态物理中心，北京100080) 底之间的界面结构，薄膜的取向和缺陷等结构特征，为制备高质量的薄膜提供依据。与之相比， 开展薄膜的应用研究提供依据。由于平面样品的制备有一定的困难，有关的报导不多。本文报导 薄膜中存在大量的口取向的条状组织构成的镶嵌结构。测量了镶嵌块的尺寸和取向关系，讨论了 它的形成机制和实际应用的可能性。 实验和结果 温度丁0为88K。用于电子显微镜观察的样品是用标准的平面样品制备方法制备的。即首先沿衬 底一侧机械研磨至30／xm左右，然后用离子束单面减薄，待样品上出现薄区后，再用离子束进行 电镜的点分辨率为2．6A。 薄膜中构成的。这种结构也可以看成是许多90。的畴拼接在一起构成的。图2是在c取向薄膜的 曲面中两个互为90。的镶嵌块的高分辨电子显微像。YBCO薄膜曲面的二维晶格像和镶嵌块中 的c取向的晶格像清晰可见，镶嵌块之间的界面和与c取向的薄膜之间的界面都是很完好的共 格晶界。这种晶界有利于研究YBCO薄膜中晶粒之间的弱连接对超导性能的影响。由于在单位 长度内，这种界面的数目大体上已知，所以可以知道单一晶界对性能的影响，便于研究晶粒间界 和缺陷等微结构对超导性能的影响。 与以前的结果进行比较认为产生镶嵌结构的原因是退火处理后造成的。 结论 PHREM方法可以观察到较大范围内薄膜的微结构，评价薄膜的质量比较全面。镶嵌结构在 薄膜中比较常见o]，但对薄膜的超导性能没有显著的影响。 参考文献 [1]李林．电子显微学报．1996，15：170． F C R HCandLi C，1994，219：114． RF，Li L，Li L．Physica [23LiuW．Ming H，WangA，Wang F，Blanc—GuilhonB，Taffin B，HerviewMandRaveau C，1993，214：55． [33HametJ A，Mercey B．Physica 电子显微学报J．Chin．Electr．Microsc．Soc． 526 17(5)l525～5261998年 图1 (a)YBCO薄膜中镶嵌结构的电子显微像(b)与(a)相对应的电子衍射花样 图2 YBCO薄膜的高分辨电子显微像