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电子盖羹掌摄 J．Chj丑ElecIf．M耙r。”．s。c． 19(‘)l 577～5782000年 577 SEM中用表面电子束激励势法研究半导体特性 PAy 朱世秋“一 9．M．一 胡问国。 (*云南太学，**其斯科走学) 车支考^用一种薪的非接■溘来研究和■量半导体晶捧t区特性的方法。这种方法是基于 扫描电t中控嗣半导体的表面电子束激威电势(SEBⅣ)法来研究半导体的电韵现特性和一量半 导体电着瑰参数。本文讨论了一种测量半导体晶体的非平夤羹流于的扩散长度L和寿龠r的方 法．本文还讨论了甩奉方法可观涓到的表面电子束激励电势图像村座的形成和它与扫接方向、半 导体材辩的糖爱特性和表面蠢励电势撮性舶关系． S】删汝是一种革接麓而且非常有效的观测和研究半导体晶体中活性非平膂t蠢子电特 性的方法，这种方法有下列特点：①潞量时不需要与榉品直接接■，②可摄舅捌的信号只与表 面势有关，不一定耍求有势垒存在I③用奉方法所蔼得的半导体材料和器件的电韵理特性和巳知 的研究P．N姑或肖特基势垒的电子柬感生电藏法(EmC法)的培皋相一致，甚至比EmC洼更准 确。但是EBIc法需要从样品引出接线．而SEⅨV法则是辈接触浩，不需要从样晶接出引线． 在研究具有P—N绩的半导体材料或嚣件时．P—N绪的作用是用藏藏子壤充了半导体‘体亚 表面区域的耗尽层t这在表面引起了能带的弯曲．在扫描电健电子束探针的腻射下，这种弯曲及 其变化抗携带着材料表面的局域特性。用我们所研究的sEBIV法所记录下的髓带弯曲和与之相 对应的表再势。其取决于半导体晶体表面的局域性质和材料参数。从有关研究知道，髟畸所探测 蓟的SEmV的信号大小的基本园素为： @鲫V莹梭测嚣所检测的空间电荷区舶竟度w，其央定了表面麓带的弯曲。 @半导体■体表面的电特性，表面复合速度s、电子浓度Ⅳ；和表面电荷密度Ⅳ。影响警所探 测蜀的SEBⅣ信号的大小． ③半导体的体黛陷及其程度决定着非平夤t藏子的早均寿龠r和扩散长度工。 应谈指出奉方法的特点是在扫描电■和电子柬■够透过样品表面氯化层茇被氧化层曩董着 的表面充电。这一点在理解实验结果时必袈加以考虑。 1．测量非平衡羲流子的扩散长度￡和平均寿命f ①舅量章平衡t藏子的扩散长度正 对于具有阴极发光特性的半导体材料和在扫描电■中用接蕾的方法嗣量半导体菲早餐t藏 子的扩散长度工和平均寿命f的方法是众所屉知的．但这些方法由于对非发光的硅萼半导体材 料不能捌量的不方便性及甚至对样品有破坏性．使我们挺出在sEM中用sEⅨV法来进行非接 触法■量L和f的新方法，用这个方法进行一量L和f时可以克服上述疑点。 我们测量的方法是这样进行的，选择一只平面型N—P—N受的功率三概管作测试样品。把它 放大加装了S脚V法探测器的扫描电镜中让电子柬垂直人射割这十三板警的平面上我们发现． 表面电子柬激局势的信号依帻于扫描电链的加速电压，也就是说与电子在半导体器件中的穿透 撂度有关，类似于已知的EBlc法。对一样品测量工时，让电子柬探针在P．N结的方向扫描，在 。。。。。。______________一●●●______________’一 摹●曩■t奉啊目为一素韩学技木讳和国采自格并学基童叠正●■■并究曩目． 电子显截学报 J．Ch山．EJ∞tr．Mkro睇．soc． 19(‘)l577～578 578 2000年 加速电压丘为5kV～35kv时．测量得到相应的裹面势SEBIV信号t根据电子柬穿连深度与加 速电压的关系： z：o．址， R。：业里姿坐协m (1) P E．的单位为千伏(kV)。这样 这里，冠单位为伽A，为电