SIMOX材料和SIMOX-CMOS器件的研究.pdfVIP

I I SMOX材料及S ，罐瀚#．、．．1， 温梦全 (北京航空航天大学理学院物理系，北京，100083) jj，麓7． 近年来，so Oninsulator)技术成为十分活跃的研究领域．用SOl材料卷I作 L(Silicon 的器件，寄生电容小，无闩锁现象，可制作离速、低功耗、高集成度、耐高温、抗辐射等 优良特性的器件，具有广阔的应用前景，除去在民用中有很大的应用价值外，在航空、航 天及军事系统中有特殊的重要意义。目前，SIMOX(SeparatioribyImplantedOxygen)技术可 称为众多SOl技术的主导。本文介绍关于SIMOX材料的研究，以及用制各的SIMOX材 料制作SOI／SIMOXCMOS与菲门电路的工作…。 一、SIMOX材料及器件的制作 l、SIMOX材料的制各 小时，最后形成SIMOX材料。所得S1MOX材料的扩展电阻和俄歇电子能谱测试图盎妇 图l和图2所示，可以看出，形成的SOI结构中，表层硅膜厚约为2000A，表面浓度 N=I×10‘6／cm3，又经霍耳测试仪测试，SIMOX样品的表层硅已经反型为N型。“ 5 X Z 丧 笔 割 * 避 m 鞋 堪 罐 距表酉的距离／×10’土 圈2 图1 本项目受北航理学院科研基金支持． -683- 2．SOI／SIMOS CMOS器件研制工艺 有输入保护电路，输出端加有两级反相器作为缓冲驱动。 研制中使用SIMOX材料，其表层硅膜厚度很小，为精确控制杂质浓度，减小杂质的 横向扩散，研制采用垒离子注入CMOS工艺，包括多晶硅的磷注入在内．共有五次离子 注入。工艺流程为： 麦4蚀(栅)一热氧化(300A)一蒸锅～光刻P管源漏一P管源漏注入一蒸铝一光刻N管源 刻蚀铝—含金一生长S‘Ⅳ。—刚E刻蚀钝化孔 工艺中PMOS及NMOS沟道掺杂浓度约为6×10”／册3及5×10”／cm5。 二．研制结果 1、SIMOX材料的分析 高能大荆量氧离子的注入，使硅单晶结构受到损伤，经高温工艺过程，衬底材料中大量的 缺陷得到恢复，在高温过程中，表层SD2中的沉淀完全溶解于硅中，表层上在Si／Si02化 学分凝作用，形成陡峭的si／Si02界面，表层硅膜为质量较好的单晶硅层。 在SIMOX的表层单晶硅膜中，由于T艺中大剂量氧离子的注入，残留的部分氧将起判施 主作用。制作SIMOX材料的硅单晶为P型，形成SIMOX结构后，经霍耳测试仪检测， 表层硅膜反型为N形，载流子浓度达10”／C／9／3，这正是氧施主的补偿作用所致。 2．SIMOX-CMOS器件 制作的SOI／三3输入端与非门器件，在5伏电压F测试，其功能完全正确。电路的静态的 NMOS单管，测出它们的输出特性曲线如图3所示；阚值电压分别为1．2v和一1．2V；漏泄 电流分剐为2．5x10…A／脚和1．2×10…A／／an． ～684- 1 5 1 2 9 0 j 00．s 0 3 0 0 l Z 3 4 5 0 3 5 g 12 i5 vD／V rD／V