ECR-PECVD制备Si3N4簿膜微结构研究.pdfVIP

ECR-PECVD制备的si3N4薄膜的铍结构研究‘ 陈俊芳 0631 华南师范大学物理系51 任兆杏 中国科学院等离子体物理研究所合肥230031 摘要 薄膜，其d^粒粒度仡14～29nm间，而且这种薄膜具有较好的表面、r整度。 1引言 Si，N4薄膜材料是一种人工合成的精细陶瓷材料，它是离子性约30％的高共价键 化合物，在结构上Si3N4材料分为非晶态和结晶态，晶态为六方晶系。它具有优良的 抗冲击能力、耐高温、抗腐蚀、强度高和高化学稳定性等特点，在汽车Tj毗、加_T‘T j叭微电予工业等方面已得到了广泛的应用【l’2．3_】。 传统制备sbN4薄膜的主要技术有化学气相沉积(CVD)，激光诱导等离了体 术，这些技术还存在沉积温度高的缺点。电子回旋共振等离予体增强化学气相沉积 (ECR．PECVD)技术是七十年代发展起来的新技术，它具有等离子体密度高(10“～ 积制备优质，均匀，结构致密的si3N4薄膜。 sj3N。薄膜的微结构。 2实验方法 2．1样品制备 单品si衬底上分别制备1，2，3，4号和I，II，III，Ⅳ号样品。 +J“东省自然科学基金和高教厅科研基金及中国博士后科学基金资助课题 M畸嚣鬟磊删需燃毒、T勰，’并利2,用3,4显-‘,}微$11光I度,I计I,。11蒌1,PDS J’17仟“”…‘‘ 莲慧墓躲1 )对 号样舶进仃{l{91租汀裂’僭王u 样间隔¨m，采取数据 3结果和讨论 4 M皿似烈，1t“‘巳3。“。 肝鬻，E捻篷罨署鼍冀了沉冀度鬻淼删200显*(2微,照片280和电。C,子36衍0KBr℃下，在 衬底上制备的 1， 2， 3， 号 Si3N4浮膜酮lE 射图象如图1所示。 、 f40．c) 20013) f280弋) 271 【360‘c) 图1．Si，M薄膜的TEM显微形貌和电子衍射图象 从图l中si3N4样品的TEM显微照片可见，l号si3N4薄膜表面【f{甲均人小约 25nm的岛状形成，岛与岛之间边缘大部分相邻连接在一起，仅小部分连接处存在小 的间隙。随着沉积温度的提高，在2号样品中的岛与岛之间进一步相连成片，岛状颗 粒进一步细化，其大小平均约22nm。在3号样品中，颗粒变得更)JH-细i锵，{{5现人小 ’F均约20nm的晶粒。对3号样品利用PDS显微光度计(采样间隔1um，采取数据 分布较窄，平均粒径约20nm。在4号样品中，薄膜晶粒变得更加均匀致密，晶粒粒 径平均大小约15rim左右。这表明ECR-PECVD制备的Si，N。薄膜是纳米薄膜。 120 100 霹 80 圈瑟 60 潲瀚 40 20 。J 0 瓣震 O 10 121416 18 2022一24 26 2830 32 粒径(nnl) 图2．si，N．薄膜3号样品的晶粒粒度分布 从图1巾Si3N4薄膜的电子衍射图象可见，当沉积温度