RF领域的SOI器件和低噪声放大器电路研究.pdfVIP

第6卷第3期 vol 功能材料与器件学报 6．No3 OF 2000年9月 FUNCⅡONALMATERIALSAND JOURNAL DEVICES sen{．2000 文章编号：1007—4252(2000)03—0150—04 RF领域的SOI器件及低噪声放大器电路研究 海潮和1， 靳伟2 (1．中国科学院微电子中心； 2．香港科技大学) NMOS工艺 摘要：从两种不同结构形式的部分耗尽器件性能研究入手，以0．6[xm 为基础，设计并研制了在芯片内部具有高Q值的平面电感的SOl低噪声放大器 电路。电路在l5V电压下，中心频率1．8GHz时峰值增益为24dB，浮体SOl器件 结构的LNA电路比体接触结构的LNA电路有更高的增盏和较低的噪声。 关键词：RF；SOI；浮体；放大器 中图分类号：TN722．3文献标识鹤：A l 引言 随着微电子技术的进步和信息交流的迅猛发展，特别是个A移动通信的巨大市场，对 1：iF电路的性能和价格有了新的要求，人们试图寻求用常规的MOS技术和廉价的硅材料解 决过去GaAs材料及Bipolar技术所承担的课题…。于是硅基材料平面电感、低噪声放大器 (LAN)、混频器和压控震荡器等RF电路的研究空气活跃。以硅材料为依托的CMOS技术，经 过几十年的发展，技术成熟，成本低廉，特别在大规模集成电路上积累了相当多的经验。然 而，走硅基CMOS之路，通向单片RF之巅的路并不平坦。这是因为尽管CMOS电路有许多优 点，但是也存在不少问题。特别是特征尺寸进入深亚微米以后，通常的“短沟道现象”会给使 用者带来麻烦。如果说在此基础上900MHz的领域硅基CMOSRF电路会有所作为的话，那 On 么在更高的频段，如1．8GHz或2GHz以上就非常困难”1。SOI(SilieonInsulator)材料和体 硅相比，有一系列优越性，特别是在高速、低压、低功耗方面”。l。同时，由于SOI材料固有的 结构特点，在芯片上可以集成具有高Q值的平面电感“1。因此，SOI器件和电路在RF领必然 显示出及良好的应用前景。 2 SOI／MOS器件及LAN电路设计 为了对S01材料的MOS器件性能深入了解．设计了几种不同宽／长比的三端和四端 MOS器件。低噪声放大器的设计，要兼顾增益、噪声、线性度和功耗等问题。图1是放大器的 电路图，虚线框出的是被集成在一芯片的部分，其余是为了获得输入输出匹配可调节的无源 FET。一般来说，LNA的两只 元件。有源元件Mi和M2是W／L=600／0．6ttm的两只NMOS 收稿日期：2000—07—17；修订日期：2000—08—24 作者简介：海潮和(1942一)，男(回族)，研究员．长期从事半导体器件及集成电路技术研究 3期 海潮和等：RF领域的SOl器件及低噪声放大器电路研究 NMOS FET可以设计成一个双栅结构的MOSFET。MI对输入信号进行放大，M2的栅加固定 偏压以稳定LAN的工作点。这样就可获得比单级共源接法更高的增益。通过工艺调整可获 得0．5～0．6V的阈值电压，使得LAN电路在1．5V电源电压下工作。为了比较不同器件结 为了降低栅的电阻，MOSFET设计成插指型梳状栅结构。此外，还设计了在多晶硅栅条上覆 盖铝的T型栅结构器件。平面电感的设计采用矩型环状结构，并由二次铝膜形成。 ofLNA devicesinclude ofLNAIC 1 Schematic The Fig．2Photograph Fig