Bi-%2c2-Ti-%2c2-O-%2c7-薄膜的反应离子刻蚀和原子力显微镜研究.pdfVIP

Bi2Ti：O，薄膜的反应离子刻蚀及原子力显撒镜研究 王卓1，孙大亮1，胡季帆2，许效红1，王栋1，王民t，王弘·， 王眷雷3，陈焕矗1，房昌水1，刘训眷，，魏珂， (1．山东大学晶体材料国家重点实验室．2．山东大学物理系．山东济南250100； 3．中国科学院微电子中心，北京1000]0) 摘要：采用金属有机化奢特分解(MOD)法制备 B,Ti30，2是一种典型的铁电材料·但事实上并非完 出B如啊20，舟电薄膜．然后在560℃退火30min碍14 全如此．B矾q冉瓷具有铁电性¨』．我们和 fuI J取向的Bi2Ti207薄膜．首冼成蹄地甘B蜩lf07 A．Q．．rumg先生曾指出M“Bi羽2q属膀立方结构， 薄膜进行了置应离子刘性．使用曲气体舟别曲氧气 具有铁电性·而s．Shhnada和王弘先生劓认为Bi挪20， (O：)．六敷他硫气律(SR)’三氘甲藏气体(C陌，) 属立方结构，其晶格参数affi20．68既没有压电性， 咀夏SFjCHF3混寺气体．采用雁干力五截镜和X舯 也没有铁电性蚋．因此，近几年在Bm材料的 域衍射对退戈首后的剧挪，o，薄膜的彤盹和蛄构进 晶体结构问题上形成两种对立的观点． 行了对比分析．蛄果表明，退失前Bm薄膜为 多^薄膜，晶粒间距耠散。无定型取由．退戈后的 用RJE反应器在室温环境下成功地完成了反应膏子 薄膜中，蛄晶微粒排列紧者。王现出鞋强的取由性． 刻蚀[‘-41．在刻蚀过程中．sR、a珉和SFJCHF，混 原子力五微镜圉倬还显示出茸t生长的各由异挂． 合气体作为刻蚀气体在半导体工作中显示出巨大的 关奠词：Bi挪：O，薄胰；反应膏予辩蚀l愿于力丑散 应用前景嘲·本文中我们首次报道分别采用sR、CHF3 镜 和SFjCHF3混台气体成功地对B如20，薄腱进行了 反应离子刻蚀(RⅢ)的实验工作。 1引言 2实验 当前许多技术被用于制备钛酸铋薄膜．它们包 括：脉冲激光脉冲沉积(PLD)法、金属有机化台 分别采用高纯度的钛酸四丁葡和硝酸铝作为前 物分解(MOD)浩、溅射法、溶胶一凝胶法、分子驱体溶液．将Bi(N0，)，t5甘b0于80℃真空睨水，加 柬外延法、化学溶竣沉稠(CSD)法以及金属有机热溶于冰醋酸中，冷却中逐蒲加入钛酸四丁硝并不 断搅拌．再加乙二醇甲醚调节溶液的浓度和粘度t 化学气相沉积(MOCVD)}击I“·其中MOD技术被 广泛的用于制备各种氧化物薄膜．其原因是此方牿 过滤掉溶液中的杂质和悬浮物。得到B调：O，薄膜 具备许多优点，如：容量控制组分，成膜沉积温度 的前驱体溶液，胜后在超净工作台内进行旋转菇骥， 较低．与各种类型村底的相窖性较好·而且成膜方 井在400℃加热分解20In如使其变为无机非晶态薄 式简便，成本较低·因而tMOD技术在苒删备及 膜t最后商沮退火使其结晶形成Bi挪z岛薄膜·较 厚的薄膜可通过制备多层膜而得到．实验中我们采 材料探索方面使用得极为广泛·奉文中我们报道采 用(111)取向的P型硅作辛摭，硅片的直径为3英 用MOD技术制备Bi鹏薄膜．用原子力显鞭镶 寸． (ArM)和X射线衍射(Ⅺ∞)方挂对B斫骗薄