Co／Ni多层膜磁电阻地研究.pdfVIP

Co／Nj多层膜磁电阻的研究 何伦华、王海、王艾玲、郑鹉、陈金昌 首都师范人学物理系磷光实验室北京(100037) 攘婺 矗对Co／Nj系列多层膜的研究中．观察到其^MR、肘，／M。及矾随M层厚度 的改变m变啦0扫：根低的磁场下．这种多层陵艇示出很陡的懈的变化。 l引言 近年来，对磁性薄膜及其礅电阻的研究主要集中在磁性／非磁性金属 多层膜、断裂多层膜及颗粒膜上。晟近有几个小组又开始研究磁性／磁性 金属多层膜，并发现了一些很特剐的现象。我们对co／Ni多层膜体系进 行了初步的研究。 2实验 Co／Ni多层膜由寅流磁控溅射方法制备，溅射过程由微机控制，溅 射系统本底真空优了4×lO。Pn．溅射气体采用Ar气，溅射气压为0．5Pa。 刚盖玻片作基片，基板保持水冷，co、Ni的沉积速率分舜J控制在0．27A／s 和0．43A／S。住所制备的一系列f倒2丑抑)，Ⅳf(栅训。多层膜样品中，Ni层厚 定，磁性由VSM测龉。A躲的测龋采用酱通四探针法。样品尺寸为 10×IOmm2，测缱时外加磁场方向与电流方向均平行于膜面，并且外加磁场方 向与LH流方向分别保持平行、垂直或成45度角。所有测量均在室温F进行。 3结果和讨论 样黼的小角X衍射仅出现一级峰，且峰形很钝，表明周期性多层结构 不完转。人角x射线衍射谱表明co、Ni均为(III)织构。 住磁性测龉中观察到了M，，M。和H。随Ni层厚度变化的振荡行为， 即嫩层间耦台的周期振荡。酗l和图2分别给出_^，，／^“和Ⅳ。随Ni层厚度 的变化关系，其中co层厚度固定为2．2rim，周期数为20。图3为典型样品 的磁滞盱I线。 r 妻 f r 目，o—- 豳i M，／M，随Ni层厚度变化的振荡：图2Ⅳ。随Ni层厚度变化的振荡 J垒I 3fCa(22／,m)／Ni(；nm)120的磁滞回线 剀4给出室温F【c砸2，∞心／M(栅H)120多层膜的A躲随Ni层厚度变化的 例子。删R定义为础，R=忸，，一只il肛i，月，，和月i表示电流方向分别平行 和I碓直r外磁场方向饱和磁化时的电阻值。豳5给出Co层和Ni层的总厚 度分别为44rim和2011Ill时co／Ni多层膜的A躲随周期数的变化。 乏 墨 5 幽4^】IIR随Ni层厚度t的变化：l!fIA职随周期数n的变化 化一 躲的测域是通过四探针法(neastone电桥法)进行的，四个探针头 由表针制成，约为3x3mm2的正方形，测蜮中最火磁场超过2000e，电流保 持恒定为ImA。图6为典型样品磁电阻随磁场的变化，(a)为电流与磁场成 45度角时，电阻值随磁场的变化：(b)，(c)分别为电流与磁场垂直和平行 时，MR比率随磁场的变化，其中电流方向和外磁场方向总是平行：r膜面的。 测龄是在样品反复磁化后进行的。由于制作上的原因，探针的四边间距不 能精确相等。在测靖中，观察到肖I与H成45度角时，在很小的磁场变化 范曝内MR的变化很陡，甚至会出现v／I=o的情况．这样高的灵敏度在磁记 录及传感器技术领域内具有很高的应用价值。 ．5 r H㈨ H㈨ (a) (c) 幽6 fCo(22nm)lNi(Im)】∞的磁电阻变化 参考史献： 【1】I．M．Gall。goetal，Phys．Rev．Left．74(1995)4515． [21 J．MGallegoctal，ApplP时sLeft64(1994)2590 【3】cPradosctal，App