GaN材料用蓝宝石单晶和衬底片的研究.pdfVIP

GaN材料用蓝宝石单晶及衬底片的研究 步云英谢礼丽张玲孙德海于秉华王胶瑜 1) (天津市半导体技术研究所邮编：30005 1引言 蓝宝石单晶(a—A1 z晚莫氏硬度为9)是一种用途很广的晶体材料。它是一种优良的透红外 现红外光的最大透过和收集，是红外探测器的首选窗口材料；蓝宝石单晶也是一种很好的半导体衬 底材料，以其为衬底的SOS材料制作的6IoS集成电路具有功耗低，速度快，集成度高，抗辐射能力 强等优点；蓝宝石单晶还是一种很好的GaN蓝光光电器件的衬底材料。生长和器件工艺水平的发展 和完善对蓝宝石单晶及衬底片的质量提出了更高的要求。 2工艺研克 2．1单矗生长 为了满足不同用途的村底片，特别是蓝光GaN光电器件对蓝宝石单晶的技术要求，采用电阻加 ● 热直拉法进行单晶生长。直拉法(CZ)较火焰法、温度梯度法、导模法有许多优点，可以定向生长。 直拉法控制性强，单晶结构完整．便于加工，且工艺成熟稳定。原料为高纯口—．A120，块料，经清 洗后使用。单晶制备工艺为： 空埚热处理一装炉一抽空一预加热一熔料一充气一恒温一引晶一放肩一等径一降埚一降温一出炉 由于蓝宝石生长温度较高(2050。C)， 。 给加热、保温、控温以及相关材料的选择带 来很大的困难。采用钨钼，石墨电阻加热材 料，使用铝．石墨保温材料，用钨钼热偶测 温，恒温控制仪控温，使样品生长在一个良 好的热场条件下。生长系统的真空度保持冷 真空为5×104乇．热真空1X10’乇，并在 原料热处理后的生长系统中充以纯氲做保护 性气体．以减少系统的污染，晶体生长结束 后，炉内单晶体的热处理及降温工艺应保证 晶体固化过程为一个渐变过程以最大限度减 少由于热冲击引起的结构缺陷和热应力出现。 坩埚材料及形状对晶体生长影响很大，在单 晶制各生长过程中容易出现影响单晶质量的 问题，主要有以下几点： 憬温瓶2发热体3坩埚4内保温瓶5擞板 图(一)热系统示意图 ．17． I) 污染的来源与克服 电阻加热式钨钼热场材料对晶体有污染．从晶体及埚内熔体都可以观察到金属膜，来源有三方 面：铝坩埚、保温套和保护性气体．为此采用化学清洗和高温处理相结合的办法阻及提高炉体密封 性能，使用高纯氢气克服这种现象。当然要想彻底克服钨钼污染使用铱埚采用中频加热效果更好， 但价格昂贵。 2)云层气泡的形成与防止 云层气泡是晶体生长过程中形成的，产生原因是气体物质在固体和熔体间分凝系 数不同及有害杂质沉积在晶体中引起的。通过实验行之有效的防止方法是： ①使用固液生长界面保持平界面式稍凸为好，在热场基本定型的条件下改动内上屏、内侧屏的 相对位置和形状及籽晶。坩埚轴的水冷量即可调节热场的作用。 ②使用高纯原料减少炉内污染源。 ◎减缓拉速实现稳定生长等。 2．2特底片加工工艺 加工工艺为： 晶体一检测一切割一定向一磨圆一切片一化学处理一磨片一抛光一检测一清洗一燃干一包装 蓝宝石单晶村底片的加工质量直接影响GaN膜生长质量，间接影响器件工艺，尤其是晶向偏离 太小和衬底片表面加工水平影响更大。