掺镧二氧化铈陶瓷片XPS研究.pdfVIP

电弧等离子体制备的平均粒径为60nm的ZnO气敏元件在没有贵金属掺杂情况下，对还原 性气体具有较高的灵敏度和一定的选择性，如图3所示。纳米ZnO气敏元件对c一：，LPG具 有较高的灵敏度，分剐为14．6，15．6；同时对CO,a：也有一定的灵敏度，分别为5．2和7。 o 2e 图2不同温度氧化的纳米Fe粒子XRD图3纳米ZnO的G．T曲线 另一方面，由图3可以看出，纳米ZnO气敏元件的工作温度大幅度降低。通常，ZnO 低了150℃-250℃，大大降低了功耗。 纳米ZnO气敏元件晶粒小，比表面积大，晶粒界面比例高。随着晶粒尺寸的减小，单 位体积中颈部(双肖特基势垒)的数目增多，会具有不同与常规粉体的颈部效应。这种微观 结构的改变有利于气体的吸附和脱附，从而导致纳米ZnO气敏元件的气敏性能改进，如灵 敏度的提高，工作温度的降低等。 2．4表面修饰作用 H，十Ar不但可以制备出纯金属纳米粒子，而且可以制备出二元，三元，多元纳米金属间 化合物及合金粒子，尤其是可以制备出纳米稀土薄壳式金属超微粒子。 晶组成的晶体结构，也存在缺陷。这些缺陷是层错，孪晶及位错，并在粒子的表面形成台阶 和扭折，尤其是粒子的内部没有观察到微孔。能谱实验结果表明在粒子内部没有稀土和氧， 而在2-3nm的边缘观察到Ni，ce及氧元素。XRD实验结果表明，这个薄层是由 CeO：，CeNi¨CeNis及CeNi金属间化合物组成的【61。 通常情况下，化学法制备的NiO是典型的金属缺位型P型半导体。气敏特性实验结果 表明，纳米Ce-NiO气敏元件在一定温度范围内，对一些还原性气体(如 一定温度下表现出P型导电性。同时，该元件对乙炔具有一定的选择性和灵敏度，这与纳 米Ce-NiO多晶半导体的显微结构有关。表层ce的存在对还原性气体既有高的选择性和灵 敏度，又可节省稀土和贵金属，可为气敏元件表面修饰提供一种新的工艺方法[71。 都有一定程度的提高和改进8】。 2．5产量高 电弧等离子体温度高达10，000C，能量密度高，因而块状金属熔化快，蒸发速率商。 青岛化工学院纳米材料研究所研制的“多电极氢电弧等离子体纳米材料制备装置”达 到了单电极每小时100克以上的高产率【“。通常，生产～支旁热式烧结型气敏元件用粉量不 到50rag。那么，电弧等离子体l小时制备出的纳米金属粉就可以制造出成千上万个气敏元 件。由此看来，电弧等离子体制各气敏材料产量高，具备大规模工业化生产气敏材料的潜力。 2．6工艺简单 该法制备气敏材料的基本工艺为：抽真空一引弧一收粉一氧化。与其他方法相比，该法 工艺简单，生产周期短，便于连续化，自动化生产，有广阔的发展前景。 3．结论 与其他的制备方法相比，H：+Ar电弧等离子体制各气敏材料具有一系列自己的特点：无污 染，表面相对清洁；粒径小，粒径可控；表面活性商；表面修饰作用；产量高；工艺简单． 无论从气敏机理的理论研究上，还是从气敏元件的性能改进，如选择性，灵敏度的提高 上，对纳米金属氧化物气敏材料的H：+Ar电弧等离子体制各方法进行研究都有重要意义。 尤其是该法制备气敏材料产量高，工艺简单，粒径可控，具备大规模工业化生产的前提条件。 +感谢国家计委和山东省自然科学基金委的资助。 参考文献 1 Yoshihiko Journal Nakatami，MasayukiSakai，eta1．Japall ofAppliedPhysics，1983；22(6)：912 2崔作林，董立峰助能材料，1995，26(4)：321 3张志琨，崔作林，温树林．科学通报，1996；41(6)：419 4Z．L．Cui，L．F．Dong，Z．K．Zhang．NanoslructuredMaterials，1995；5(7)：829 5康昌鹤，唐省吾．气湿敏元件及应用，科学出版社，1988 6Z．L．Cui，Z．K．Zhang．NanostmcturedMaterials．1996；7(3) 7董立峰，宋淑敏，董艳棠，崔作林．功能材料，1997，28(3) 8董立峰，崔作林，张志琨．功能材料，1995．26(增刊)：416 9崔作林，张志琨等．山东省科委科学技术成果鉴定证书，132号，1995 掺镧二氧化铈陶瓷片的XPS研究’ a