FCVAD合成非晶金刚石薄膜探究.pdfVIP

2000年lO月·广西·北海 第七届全国固体薄膜学术会议 FCVAD合成非晶金刚石薄膜研究+ 王广甫“2’ 田人和2’吴瑜光2’张孝吉2’张荟星2’ (1)北京师范大学分析测试中心，2)北京师范大学低能核物理研究所，100875，北京) 摘要用磁过滤阴极真空弧沉积(FCVAD)方法在si衬底上合成了非晶金刚石(ta．C) 最高，可达80％以上。 目前-合成非晶金刚石薄膜的方法有两类。一是用璇氢气体等离子体辅助化学沉积方 法·这种方法合成的类金刚石非晶碳薄膜，因含有17—60％的氢，而被称为含氢非晶金剐石 薄膜。另一种方法是采用物理气相沉积(PVD)方法由石墨产生碳原子柬、离子束或等离 子体来合成的。这类方法台成的类金刚石碳膜不含氢，通常称为无氢非晶金刚石薄膜。园 这种薄膜中含有大量C-C四面体键(sp’键)．所以也常被称为四面体非晶碳膜，简称Ta- C·ta-C薄膜由于不含氢．s矿键c原子间距短、强度高，从而使薄膜具有较高的硬度和密 度，稳定性也比a-C：H薄膜好。 磁过滤阴极真空jt沉积(FcvAD)方法具有阴极材料离化率高、沉积离子能量可大范 围调节、沉积温度低和沉积速率高等优点，特别适用于合成非晶金刚石(ta．C)薄膜…。 l非晶金刚石薄膜的合成 非晶金刚石薄膜的合成是在磁过滤脉冲阴极真空弧沉积装置口】上进行的。衬底选用硅 (100)单晶片，所有衬底都经过常规清洗．并在酒精和丙酮中煮沸后烘干备用。在合成薄 膜前，在真空状态下，通过在衬底上加-3KV的偏压．用磁过滤脉冲阴极真空弧沉积系统引 出的碳离子柬进行原位清洗，以保证衬底表面的新鲜和清洁。通常用lO～l5mA碳离子束 清洗5分钟。 沉积中，采用高纯石墨作为阴极，沉积靶室本底真空为：4．0×10‘Pa。在薄膜台成过 程中，村底被固定在直径为100mm的靶盘中央，靶盘距离磁过滤管道出口50mm。弧放电 5～l 频率为12Itz，靶上沉积碳离子平均流强保持在lO～22mA．相应沉积速率为05埃／ 秒。沉积碳离子束的能量可通过调节加在衬底上的负偏压来改变．并在沉积衬底负偏压分 别为20V．50V，80V，110V，140V，170V和200V下合成了非晶C薄膜。 2合成T叠-c薄膜st?键含量分析和讨论 2．1Ta-C膏■的Ibm^n光谱分折 对于不具有长程有序结构的非晶c薄膜来说，其鼬m∞光谱为一个很宽，且不对称的 峰，峰位在1500-1560cm1之间变化。为从Ramaa光谱中获得关于非晶金刚石薄膜结构的 信息，我们参腻Stmmhcvsky的处理方法pJ，用下面两个量来对Ramn光谱进行描述．并 由此估计薄膜中s矿杂化键所占比例。 1)500 cm-1和1550 cm‘处Raman散射光强之比．R=Isodllm。 2)D峰和G峰强度比DJfG。 图l是不同衬底偏压下台成非晶金刚石薄膜的＆㈣散射光谱。分析是在SPEXl403 ·国束“八卉三。计划资助项目《863—715一OOB一0040 中科院暂理所光铀理开放实验室黉助项日 型!!!星：￡堕：!!塞 苎主旦全里里苎塑兰型 中，524∞“处尖蜂是衬底Si韵P口man 敞射峰。960 cm。处的窄峰是衬底si 。一 的二次TO声子峰。扣除sl本底后， 2DOV 口J求R=1500，11550。 17吖 m St础vskyljl给出了R和薄膜中 f1吖 sD’杂化键所占比例的关系： 』