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Tos器件总剂量辐射效应研究中的测试技术 刘洁’，·，孑匕学东’，罗宏伟’，周继承’ I中南大学物理科学与技术学院长沙岳麓区410083 2电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广州东莞庄路 110号510610 摘要本文对总剂量电离辐射效应研究中正在广泛使用的测试技术一一电测试技术和微结构测 试技术，以及正处于研究发展阶段的光学测试技术进行了简单的原理介绍和应用分析. 关键词总剂量效应，电测试技术，微结构测试技术，光学测试技术 1.引言 随着军用和空间电子技术的迅速发展，关于微电子器件的总剂量电离辐射效应 (TID) 变得越来越重要。TID效应指的是一段时间内电离辐射的积累，这种积累将导致器件性能的 长期失效。对半导体器件而言，影响器件性能和退化的主导因素是栅氧中的载流子运动 (注 入、输运、隧穿和复合)和电荷俘获，当处于辐射环境中时，电离辐射在MOs器件的栅氧 中产生氧化物陷阱电荷，在Si/Si0:界面处产生界面态陷阱电荷，这些将显著影响到器件的性 能，甚至引起器件退化。为了研究TID效应对器件性能的影响，首先需要采用合适的实验手 段获得辐射产生的损伤情况。在辐射缺陷的研究中最基本的也是最常用的是传统的电测试方 法，如电容一电压 (C-V)和电流一电压 (卜V)法，以及在这个基础上发展的一些电荷分 离技术。微结构测量技术也是辐射缺陷深入研究过程中必不可少的方法，如电子自旋共振 (ESR)技术。除此之外，正在发展的光学测试技术也不得不引起关注。本文将对这些方法 作简单的介绍。 2.电测量技术 ， 2.1电容一电压 (C-V)法 公 电容一电压 (C-V)法是分析MOs 马 山 O 电容电性能最基本的方法，图I为典型的 N 喊 匕 O V MOs电容辐射前后高频C-V曲线，从曲 d 线中的平带电容Cf,,中带电容CMB和反型 西 电容Cin，可以获得器件积累区、耗尽区和 反型区的分布情况。 GATEVOLTAGE(仍 不仅如此，通过曲线的漂移情况还可 图1:MOS电容的C-V曲线 以在C-V曲线中对辐射产生的氧化物陷 阱电荷和界面态陷阱电荷进行分离。曲线中，辐射前后C.处对应着平带电压的漂移△Vbf, 对平带电压漂移的贡献来自氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷之和，即 △珠=一 (QO+AQit)/Co.;Cm:处对应着中带电压的漂移△Vm8，因为界面态可分为施主 型和受主型两类，根据其基本性质可知，中带电压处，界面态陷阱电荷为中性，此时△V.B 只与氧化物陷阱电荷有关，因此△呱B二一Qot/C.。根据上面的分析即可计算出辐射产生 基金项目:重点基金项目(6140438);重点实验室基金项目(51433020101DZI501) 157 的氧化物空穴陷阱与界面态陷阱的密度Nit和Nit. C-V法是分析MOs电容最基本的实验手段，但是最近几年随着超薄栅氧、高k栅介质 以及相关迭栅的出现，标准的C-V法面临着新挑战，现已有人将这作为一个独立的方向进 行研究。 2.2电流一电压 ((I-V)法 反映MOSFETs基本工作状态和性能的是输入输出曲线(ID-VD)和传输曲线(ID-VG), 而辐射效应研究中更是将传输曲线 (ID-VG)作为基本测试之一，图2为辐射前后MOSFET 的传输曲线。从曲线我们可以获得反映晶体管性能的基本参数— 闽值电压和亚阂特性，从 沂百-VG曲线获得闽值电压，而亚阂特性一般用亚阑摆辐表征。辐射过程中随着辐射剂量 的增加，曲线向栅压的负方向漂移，因此闽值电压也随之负向漂