K4%5bFe(CN)6%5d掺杂剂对溴碘化银颗粒乳剂感光性能影响地研究.pdfVIP

中国感光学会第七次全国会员代表大会暨学术年会和第七届青年学术交流会论文摘要集 43 光性能影响的研究 宋立旺，牛红艳，初春，赵迎新 (乐凯胶J}股份公id研发部彩色胶卷部，河北保定071054)) 摘要：本文研究了IC,[re(CN)6】掺杂剂对溴碘化银颗粒乳剂感光性能的影响，结果表明掺 杂剂的掺杂位置以及掺杂量对乳剂的感光性能都有影响。掺杂位置接近表面或接近内核时 效果相对较好，掺杂位置接近富碘区时，乳剂的感光度上升的不明显，较佳的掺杂量为 1×10“mol／molAgN03。 关键词：掺杂；浅电子陷阱；K4[Fe(CN)6】；溴碘化银T．颗粒乳剂 1前言 众所周知乳剂感光度与乳剂颗粒卤化银的量成正比，也与碘的分布及含龄密不可分。 但乳剂中碘含量是有一定限制的，乳剂的颗粒也不能无限制的扩人。冈为这样既增加了成 本，义使得其他照相性能指标人打折扣。那么就要走山一条低银耗而照相性能义人幅度提 高的道路，无疑乳剂的掺杂是解决此问题的行之有效的方法。人们很早就通过往卤化银微 品中掺杂某些掺杂剂以改善乳剂的照相性能。这些掺杂即可分为离子利络合物两种，它们 能够进入卤化银微品的品格结构中，而不是在卤化银晶体中以单独的相存在或吸附与品体 的表面。这些掺杂剂在卤化银中有可能形成深浅各异的电子陷阱或空穴陷阱，导致光照后 卤化银中的电子寿命、空穴浓度利填隙银离子行为等性质发生变化，这些都直接影响卤化 银乳剂的照相性能。最简单的掺杂是掺杂离子取代卤化银品格结构中的刚离子或银离子， 如Ifj+取代Ag+和l。取代Br-I“。 近年来研究的较多的是含有类卤素配位体或同时具有卤素配体(如CN‘、NCS’、NCSe。 的掺杂剂，特别是能有效提高照相乳剂感光度的浅电子陷阱掺杂剂。浅电子陷阱掺杂剂掺 入卤化银晶体斤能在品体中形成浅电子陷阱。当卤化银颗粒吸收光产生光电子时，光子就 会住掺另g位置上被止电荷所俘获，此结合能与掺杂位置导带能量的降低值相等。那些能够 使导带能量降低的掺杂剂非常适合浅电子陷阱的形成，冈为在此情况。卜．：浅电子陷阱可以 起暂时储存电子的作川，使这些电子既不会I灭l立即与光空穴符合而消耗掉，也不会因形成 许多不起催化作州的次潜影互相竞争而门丁．无效；而陷阱的深度(结合能)又不足以将电子 的永久捕获，电子在适当时候可以迁徙剑}杵影浓度中心，使某个次潜影中心长火，这样就提 高了光电子的利川率，提高了乳剂的感光度，实现了乳剂制备的高感微粒12“～1。 并不是所以的金属络和物掺杂剂都是浅电子陷阱掺杂剂。掺杂剂掺入卤化银品体的品 44 中国感光学会第七次全国会员代表大会暨学术年会和第七届青年学术交流会论文摘要集 格结构中取代Ag+及其6个相邻的卤素离子(成为七空位离子群【城】5’)，除了那些构成 晶体价带和导带的能级(或轨道)外，它还在掺杂位置附近产生新的电子能级(轨道)。因 此，作为浅电子陷阱的掺杂剂除了要考虑掺杂络离子空间体积、掺杂剂的价态及掺杂络和 离子的溶解度等问题外，还必须满足一卜列附加的能级要求。 (1)其最高占有轨道必须被充满； (2)其最低空轨道必须比卤化银晶体导带的最低能级能量高。 考虑。要满足条件(2)，则要求金属络离子中有强吸电性的配位体存在，如羰基或氰基。 配体中与金属离子键汞I的原子提升掺杂离子最低未I吁有轨道(LUMO)的效率以序列 求。含6个氰基配体的络合离子是一类常用的浅电子陷阱掺杂剂13J。 本文选取了K4[Fe(CN)61这一络合物作为掺杂剂，研究了不同掺杂量以及不同掺杂位置 对溴碘化银T-可例如及感光性能的影响，以便对照相乳剂性能有所改善。 2试验 本试验所采刚溴碘化银T-颗粒乳剂是使Hj平衡双注法制备的。 乳剂A为不掺杂的乳剂，此乳剂颗粒为二碘结构，碘I的注入位置为20．3％，碘II的注入 位置为53．8％(注入位置川加入碘时已加入银鼙一II‘总银量的百分数表示)。此乳剂作为其他 掺杂乳剂的对比标准。 在T-颗粒乳剂颗粒乳化过程中，在不同的时间分别加入不同量的K4[Fe(CN)6]。掺杂位 置的含义同上，即川加入掺杂剂时已加入银量I!i总银量的百分数，百分数值越人表明掺杂 位置越接近表面。掺杂量以每摩尔AgN03中掺入的K4[FB(CN)6】摩尔数米表示。掺杂的方 法是通过在乳化过程中先降温、调节PB。和再升温等手段来实现的。实验中制备的乳剂系列 虬表1。