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硅微传声器研究进展丰
田静汪承灏徐联乔东海马军魏建辉
(中国科学院声学研究所,北京100080)
Research inSilicon
Progress Microphones
TIAN Jian-hui
Jing,WANGCheng—hao,XULian,QthODong—hai,MAJun,WEI
(Institute 100080)
ofAcoustics,ChineseAcademyofSciences,Beijing
1.概述
硅微传声器是一种用MEMS技术制造的、将声信号转换为电信号的声学传感器。自2002年起,中国
科学院声学研究所在中国科学院知识创新工程试点项目、国家863计划MEMS重大专项课题和国家自然
科学基金“半导体集成化芯片系统基础研究”重大研究计划重点项目的支持下,先后开展了硅微电容传声
器、硅微压电传声器及其应用集成系统的研究工作,在方形振膜、圆形振膜、聚亚酰胺结构、微凸防粘连
结构的硅微电容传声器和分裂电极硅微压电传声器等研制中,取得了一系列的理论和实验进展,并且结合
低噪声升压电路、匹配电路、采样与处理模块、无线接入模块的研制,形成了一些典型的应用集成系统方
案和样机,为我国声学微机电器件和系统的发展奠定了良好的基础。本文介绍了相关的研究进展和所突破
的关键技术,指出了进一步的发展方向。
2.硅微电容传声器
2.1理论分析
在硅微电容传声器的研制方面,首先开展了传声器的灵敏度响应的理论研究,针对微传声器的敏感膜
对声波的响应和力学失效性质,采用有限元方法分析了方形膜与圆形膜的应力分布,量化地说明了在受到
周边均匀拉伸力的情况下,方膜内部应力分布明显不均匀,四个角上的应力集中,是中间位置的两倍左右;
而圆膜内部的应力分布沿角方向是均匀的,只是在径向上有一定的应力差。由此可以得出结论,方膜结构
稳定程度较低,膜容易在应力集中的地方即角处破裂,而且频率响应较差;圆膜的响应会比较均匀,加工
后的膜也不容易破裂,成品率较高。
对圆形敏感膜,认为膜的振动受张力控制,而弹性力的影响可以忽略,可以给出传声器的通带开路灵
敏度和谐振频率;利用等效电路法,并计入偏置电阻和高频散射的影响,就可以分别给出传声器的低频和
高频灵敏度响应。数值分析表明,微传声器的通带响应灵敏度主要取决于振动膜的残余应力(张力),张
力越大,灵敏度越小;低频响应特性上升的快慢,还在很大的程度上受到偏置电阻大小的影响,而高频响
应的衰落,则取决于背极板上阻尼孔的粘滞阻尼的大小。据此我们可以从材料、偏置电阻、几何参数以及
工艺条件上设计和控制微传声器的响应特性。
2.2硅微电容传声器芯片的工艺制备与实现
在不同的研究阶段,我们共研究实现了4种结构的硅微电容传声器的制备技术,包括方形振动敏感膜、
圆形振动敏感膜、微凸极板防粘连结构和聚亚酰胺结构。
方形和圆形结构电容传声器芯片均采用电阻率为10
积厚度为5000A的富硅氮化硅膜作为振动膜,低温二氧化硅作为牺牲层和隔离层,在膜上面镀一层面积为
间距为41sm,硅芯片的尺寸为3×3ram2。该制做过程中关键技术有:深度硼扩散、低应力氮化硅膜的制各、
深度体刻蚀、牺牲层释放和镀顶电极,整个制做过程用到五块掩模板。圆形膜与方形膜的主要不同在于在
淀积背极板和牺牲层之间,使用一层氧化锌作为辅助牺牲层,以实现圆形的气隙和振动模。
}中国科学院知识创新工程试点、国家863计划N3klS重大专项和国家自然科学基金“半导体集成化芯片
16l
系统基础研究”重大研究计划重点资助项目。
图l、2分别为方形振膜和圆形振膜的硅微电容传声器的样片及其频响曲线,可以看出对圆形振膜而
言,尽管有效电极的面积比方形膜减小约20%以上,但是灵敏度响应却提高了约25dB.其主要原因就是圆
形膜大大减小了振动敏感膜的残余应力。
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