纳米锥阵列场发射阴极模拟的研究.pdfVIP

纳米锥阵列场发射阴极模拟研究 李春 元光 袁光军 郭强 陈龙 刘玉芳 中国海洋大学 物理系 山东省青岛市崂山区松岭路238号邮编266100 电子邮件：lichu—n030—3@—12鱼!壁Q塑，yuanguang@ouc．edu．cn withnanocone films Simulationofelectron．emitter array study shaped Chun Chertl， Yuanl，Guang／unYuan。，Q妇馏Gu01，Long Lil,Guang of of 100，China Physics，OceanUniversityChina，Qingdao，266 Department Electronic mail：lichun0303@126．com,yuanguang@OUC．edu．Ctl 摘要：场发射在冷阴极平板显示、x射线源、真空微纳电子系统和小型微波发生器等方面的研究受到了 科研人员的高度重视。在冷阴极平板显示领域，阴极材料和阴极结构的研究处于核心地位。不同阴极材 料的场发射性能有着很大不同，即使同一种材料，发射体的几何结构和排列密度对发射性能也有着显著 影响，而优异阴极结构的设计，同样是摆在场发射显示研究人员面前亟须解决的问题。本文以纳米锥阵 列膜为场发射材料，采用平面栅极结构，即栅极置于中央，被阴极所包围，场发射阴极材料放置于栅极 和阴极之间，利用栅极与阳极产生的电场控制场发射电子的轨迹，使电子向中心汇聚，降低电子束发散， 简化场发射电子源的结构。在给定几何参数(栅极宽度、阴极宽度和栅极阴极间距)和电参数(阳极电 压和栅极电压)条件下，利用有限元方法，理论模拟了具有不同相对介电常数的纳米锥阵列和不同形状 的ZnO纳米锥阵列膜表面传导场发射阴极结构的电场分布和电子轨迹分布，研究电场分布与电子轨迹 的关系，即场发射材料对汇聚型场发射电子源电子柬汇聚性能的影响。 关键词：纳米锥阵列膜，表面传导，有限元，电场分布 Abstract：Withthe ofscienceand hasbeenattachedtofield development technology,increasingimportance in emissioncoldcathode micro-nanoandmicrowave is platdisplay,Xraysource，vacuumsystem source，etc．It a to cathodematerialsandcathodestructurein fiat thecold—cathode keytechnologystudy panel displayfield． Thefieldemission aredifferencesfor differentcathode arealsodistinctforthesame properties materials，and of of structureand