声表面波器件芯片附着强度不合格因素分析和改进措施研究.pdfVIP

声表面波器件芯片附着强度不合格因素分析与改进措施研究 徐爱斌 欧叶芳 总装备部电子信息基础部军用电子元器件DPA实验室 (五所) 信息产业部电子第五研究所 (广州 510610) 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室 摘要:针对DPA中出现的声表面波 (SAW)器件芯片附着强度不合格问题，通过多次的试验检测、分 析数据和研究标准，进行了芯片附着强度因素分析，提出了改进措施。 1引言 某型号SAW滤波器组件，(一卜称D产品)，委托我们做破坏性物理分析。DPA结果六 项合格，因芯片附着强度一项不合格 (受试4只样品3只合格，1只附着强度2.95吨小 于合格判据值3.67kg不合格)而被据收， 2试验及其分析 为了了解影响D产品芯片附着强度不合格的主要因素和退化规律，以确定有效的改 进措施，我们有针对性地提出了未经筛选、经筛选和加速老化等多组不同条件的试验方 案。 承制单位将经不同筛选条件试验后的D产品样品先后多次送来做芯片附着强度单项 DPA检验。检验结果表明:未经过供需双方制定的筛选条件 (以下简称 “产品筛选条件”)， 芯片附着强度完全满足GJB4027-2000标准中附着强度的要求。而经过 “产品筛选条件”， 芯片附着强度明显下降，部分器件已不能满足标准要求的附着强度。 为了考察D产品附着强度随温度与时间应力退化的趋势，进行了2组试验 (A组和B 组)。A组试验条件是:1500C48h，-550C一1251C10次温度循环，1250C160h老化。B 组试验条件是:1501C72h，-55C一125*C 10次温度循环，1250C160h老化。 表 1给出了A.B两组样品加速老化后，芯片附着强度的检测结果。从表中数据可 以看到产品经不同老化条件后，各样品芯片附着强度的变化情况。比如经A组的老化条 件后，各样品之间的芯片附着强度没有很大的变化，恶化不明显。经B组的老化条件后， 各样品之间的芯片附着强度发生两极分化，大的大到5.75Kg，最小的只有1.85Kg。显然， 这是由于高分子化合物的交联链在长期高温作用下已有部分退化或破坏。然而，两组检 测数据表明:本次产品虽然经过多次 “产品筛选条件”老化，芯片附着强度有所下降， 但其变化不是很剧烈，恶化不明显，没有显现出直线退化至零的趋势。 112 表1 两组样品加速老化后芯片附着强度检测结果 样品 芯片面积 附着力 芯片附着 合格判据 合格/不 芯片分离模 编号 (mm) (Kgf) 痕迹 (Kgf) 合格 式 粘接料与芯} Al 19.6 4.65 明显 ,3.67 合格 片之间 粘接料与底 A2tt 19.6 4.10 明显 )3.67 合格 座之间 粘接料与芯 A A3tt 19.6 3.90 明显 )3.67 合格 片之间 组 ’ 粘接料与底 A4tt 19.6 2.35 不明显 }3.67 不合格