铌酸锌陶瓷和Ag电极共烧界面的研究.pdfVIP

第34卷 增刊1 稀有金属材料与工程 V01．34，Suppl．I 2005年 6月 RAREMETALMATERIALSANDENG刑EERⅡqGJune2005 铌酸锌陶瓷与Ag电极共烧界面的研究 张迎春1，杨秀红1，岳振星2，赵飞2，王瑾2，李龙土2 fl黑龙江科技学院，黑龙江哈尔滨150027) (2清华大学，北京100084) 低到900。C。通过XRD，SEM等测试手段对与电极共烧过程中的化学相容性进行了系统研究。背散射分析结果显示， 陶瓷层与电极结合非常紧密，二者之间的界面非常清晰，没有明显的渗透和蔓延，线扫描结果显示界面附近的元素互 扩散1i明显，因此，CVB掺杂ZnNb：06陶瓷可以作为一种新型的低温烧结微波介质陶瓷用于制作多层微波器件。 关键词：低温烧结； 微波介质陶瓷：Ag电极：界而 中图法分类号：TM534 文献标识码：A 文章编号：1002—185X(2005)S1—1010-03 近年来，随着卫星通信和移动通信的迅速发展， 1 实验内容 多层片式微波器件如片式微波滤波器、片式微波天线 等的开发和研制已受到了人们广泛的关注…。在多层 结构中，要求电介质材料具有较低的烧结温度，以便 能够与内置电极层在低于金属导体熔点温度下共同 比混台后球磨6h，无水乙醇作为球磨介质，球磨后的 烧结，对于导电性良好的铜和银，它们的熔点分别为 961℃和1064。C，因此一般要求电介质陶瓷的烧结温 度控制在1000℃以下““。 不同配比进行混合，经过球磨、干燥过筛等工艺后， 制成所需瓷料，然后经过流延、丝网印刷、烘干、切 ZnNb206陶瓷具有较好的微波介电特性，其岳-25， 700GHz，而其烧结温度仅割、排胶、烧结等工艺。电极浆料采用商业化的中温 -of=、56×10。6，℃，Q×f=-83 为1150℃，是非常有希望实现低温烧结的电介质材料 银浆和低温银浆，流延介质层厚度约为70“m和 之一Ⅲ】。Kim等研究了CuO掺杂对ZnNb206陶瓷烧300“m。烧结温度900℃。 TMADSC 结行为及介电性能的影响【6]，发现质量分数为5％的 样品的收缩曲线采用SETARAMTGA CuO能够使ZnNb206陶瓷的烧结温度下降到900℃。 Zhang等研究了CaF2以及CuO．Bi203-V205联合掺杂England))及能谱分析样品的显微结构。 对ZnNb206陶瓷烧结温度和介电性能的影响，发现质 2结果与讨论 量分数为3％的CuO-Bi203-V205可有效地将ZnNb206 2 1 陶瓷烧结温度降到9000C以下【7，”。但作为多层结构中 烧结行为 所使用的低温共烧陶瓷材料，还必须满足与共烧电极 之间具有良好的化学相容性，也就是不能与内电极发 收缩速率与温度的关系。町以看出，对于掺杂量不同 生严重的化学反应或者产生严重的互扩散。本实验以 CuO—Bi203．V205(简称为CVB)掺杂的ZnNb206陶瓷 作为低温共烧陶瓷原料，以中低温Ag浆作为内电极 250℃的范围内完成，收缩速率较为均匀，最大收缩率 原料，系统地研究了ZnNb20s陶瓷与Ag电极的低温 共烧行为。 收稿日期：2004．12—28 基金项目：国家“863”十五项目资助(2001AA325100) Cn E—mail：zhangyingchun@tsinghuaorg 增刊1