HgCdTe液相外延薄膜组分分布与内波的产生.pdfVIP

中国工程热物理学会 传热传质学 学术会议论文 编号：063256 HgCdTe液$B91,延薄膜组分分布 和内波的产生 黄为民1 王亚敏1 魏彦锋2 (1上海理工大学。上海，200093：2中国科学院上海技术物理研究所．上海， 200083) 联系电话：021-62267988：E．mail：ami_sha@163．tom 【摘要】 液相外延生长中的外延层晶体表面会出现条纹．大大降低了晶体的成材率。本文通过用红 外透射谱和均匀腐蚀的方法测量了同一HgCdTe外延薄膜在不同层厚时的红外透射光谱，显示样品在靠 近衬底的两微米范围内存在一个急剧变化的梯度区，这表明在外延生长后期的相变层中存在分层流。 而正是分层流中的内波造成了外延层晶体表面的条纹。数学模型和量级估计很好地支持了此内波成因 说，并且通过数据计算和实验结果指出，将生长晶体控制在一定厚度内就不容易产生条纹． 【关键词】1液相外延 红外光谱 组分分布 内波 1 引言 ’ HghCd。Te半导体的禁带宽度可以覆盖l’25微米的范围，是制造红外探测器的重要 材料。HgI．，Cd。Te外延薄膜生长疗勺一种重要工艺是液相外延方法，即从饱和溶液中在单 析，表明从衬底到表面存在按指数律下降的cd组分分布。这种分布影响了它作为红外 探测器的性能，反映在液相外延生长过程中相界面层中cd的密度也会随着生长演化过 程而变化，最终导致在外延层表面产生波纹。 一直以来还没能找到有效的方法来减少液相外延生长中外延层表面出现的条纹，但 是提出了各种假设：热毛细力成因说¨‘，溶液对流说曙3，表面扩散说口3以及应力位错说Ⅲ。 本文认为外延层波纹主要足由相变层中的内波造成的。内波问题最初是用于研究大气层 的，后被海洋物理研究所用于研究海洋波以及海底泥波的成因，但是迄今还没有引起材 料生长研究领域的注意。 在本文中，我们采用化学腐蚀的方法， 对不同层厚时的红外透射光谱进行拟合i面得 到的材料组分纵向分布的信息进行了分析， 并由实验结果和控制方程的量级估计，提出 和证明了我们的假说。 2 实验 本实验所用样品Hg。一，cd，Te由窗Te液相外延方法生}乏，生长工艺为抽真空的水平推 槽面积为20x30mm：，在高温下熔体在槽中的高度为3mm。在生长过程巾，先把熔体在 1438 500。C下均匀混合半小时，然后把温度降至液相点4700C。随后让熔体和衬底接触开始外 延生长。生长过程中的冷却速率为0．20C／分钟，生长时间为30分钟。保持熔体的3mm 高度不变，改变冷却的速度和时间。在lOpm、厚的生长晶体表面会出现至少3pm厚 的波纹。(如图l所示) 图1HgCdTe／CdZnTe液相外延晶体表面的波纹 MRD 用PhilipsPro型x射线衍射仪测量了外延薄膜的晶格常数，通过品格常数与 组分之间的关系得到材料表面组分。用0．2％的溴甲醇溶液对样品进行腐蚀．腐蚀速率约 为1．2--1．5 pm／分钟，通过控制腐蚀时问来控制外延层的厚度。 3 结果分析 对比实验显示外延层表面会随着生长晶体层厚度的增加而变得越来越粗糙。红外透 射谱分析表明从互扩散区一直到样品表面，Cd组分逐渐减少。这主要是由于在生长过程 中，生长溶液中的Cd元素逐渐耗尽，导致外延层薄膜越靠近表面Cd含量越低，形成纵 向的组分梯度。5j。在相界面层中的}lg的浓度也会随着生长的进行而变化，在外延层表面 IIg的浓度足最高的。 在本文中，我们采用下列公式来表示组分的变化： 戈(z)=【1一(t—p·e—d72 (1) 上式中z为距离衬底的距离，d为外延层总厚度，t与表面组分有关，△z代表 互扩散区宽度，P为可调参数。从上式可以看剑，当离开互扩教区时，组分x与距离z 呈指数衰减变化。用x射线衍射方法来测定表面品格常数