3300V+IGBT平面栅元胞设计与优化.pdfVIP

3300V IGBT平面栅元胞设计与优化 王耀华，金锐，刘江，赵哿 (国网智能电网研究院北京102211) 摘要：绝缘栅双极晶体管(IGBT)结合了MOSFET的栅极电压控制特性和BJT的低导通电 阻特性，在电网控制中得到越来越广泛的应用，尤其是1700V和3300V电压等级的IGBT 模块。本文研究了3300VIGBT平面栅元胞特性与设计结构、工艺条件的关系，并针对 NPT-IGBT饱和电压偏高的问题，采用载流子增强技术，优化元胞特性。最终成功研制了 3300V／50A IGBT芯片，其饱和电压为2．8V，开启电压为6．IV，阻断电压达到4400V． 关键词：IGBT；饱和电压：开启电压：载流子增强层 O引言 在电网控制中应用的电力电子器件自上世纪60年代以来，经历了从半控器件晶闸管到 IGCT)三个发展阶段，对电力电子器件的性能要求也越来越高。IGBT集合了MOSFET与 BJT的优良特性，具有电压控制、输入阻抗高、驱动功率小、通态压降小、开关损耗低以及 工作频率高等优点，并具有类似于MOSFET的宽SOA特性，是近乎理想的电力电子开关器 件。IGBT在电网系统尤其是智能电网中应用越来越广泛，例如光伏逆变器、充电桩逆变器、 FACTS装置、柔性直流换流阀以及电能质量治理装置等，使用的IGBT电压等级主要为 1700V和3300V。在电网系统中对IGBT器件的可靠性提出了更高的要求，而与沟槽栅元胞 相比，平面栅具有更高的鲁棒性。为此，本文研究了3300VIGBT平面栅元胞设计与优化。 1．元胞基本结构 在纵向结构上，结合国内芯片加工能力的实际情况，选择了NPT型结构，元胞的结构 如图1所示，其基本结构与VDMOS类似，唯一的区别是在硅片背面增加了一层P型掺杂 区，然而这一结构改进使IGBT的性质发生了质的变化。由于P型区的存在，在器件导通时， P型区向n．区注入大量的少数载流子使n．区产生电导调制效应，n．区的电阻率明显降低，从 而使器件的导通电阻受n．区的电阻和厚度的限制会变小。在器件设计时，可以选择适当的 n．区掺杂浓度和厚度，满足器件耐压的同时不会使导通压降增大很多。 L I—L JkJ、—n±』：；：：， 0×I!!LEL 9■e|[_×／ J FET ＼：；：_oP—etl 。．．．．．。。。，／、、—．。。————一 P 图4NPT-IGBT元胞结构 272 本文研究的器件采用的硅片掺杂浓度(即n．区掺杂浓度ND)为1．7×1013cm3，硅片厚度 掺杂浓度3×1020cm一。 2．元胞正面MoS结构优化仿真 在IGBT器件导通时，电子主要流经MOS结构的沟道，空穴主要流经PNP双极晶体管。 在正面MOS结构中，影响IGBT器件特性的主要参数有栅长度LG。P阱掺杂浓度、JFET 区掺杂浓度。 三项与沟道区掺杂浓度即P阱的表面掺杂浓度有很大的关系，本研究对P阱注入剂量对Vth 的影响进行了仿真，结果如图2所示。仿真结果显示，P阱注入剂量增大，开启电压Vth明 显增大。从Vth的定义来看，栅氧中的氧化物固定电荷Qss对Vth的影响也很明显，在此次 研究的仿真过程中，参照半导体芯片加工厂栅氧化层的一般水平，Qss值设定为2x10¨cm-2。 35E-0S 1,0[4]5— 1+4h13 f ， 3．0E4)5 8．0E娟l—}6E+13 ／ J }十7E+13 f ／ 2．5E435 百E 6·0E4]6}+艇+13 ／ ； §2OE4)S 《