直流磁过滤弧源沉积合成不同N分压下的C%3aN薄膜性能的研究.pdfVIP

第五届全国表面工程学术会议论文集 直流磁过滤弧源沉积合成不同N分压下的C：N薄膜性能研究 文峰黄楠’ 孙鸿刘艳文 西南交通大学 材料科学与工程学院 教育部材料先进制备技术重点实验室 摘要：本文采用直流磁过滤弧源沉积的方法在室温下合成了不同N分压下的C：N薄膜，基体采用Si(100)镜面抛光的 硅片。膜厚经测定约510nm。薄膜成分表征采用拉曼光谱，X—Ray光电子能谱和傅立叶红外光谱。结果表明随着N2流 量的增加，薄膜中有更多的sp2簇形成，但s矿，sp2没有多大改变，薄膜中N含最为1．8％～6．I％，不同流量下薄膜的 红外光谱结果未见明显差异。接触角测试仪测定了薄膜与不同液体问的接触角，通过计算得到的不同薄膜材料的表面能 参数没有明显区别，这表明在现有工艺氟件下合成的薄膜对表面能不敏感。 关键词：薄膜XPSRama．rl接触角 持在50A左右，弧压为22V，磁过滤弯管电压保 前言 持在+15V，弯管磁场电流4A。薄膜沉积时间控 制在5分钟。 1989年，Liu和Cohen[1】在美国Science杂志 上发表文章，文中论述了通过理论计算预测了0 沉积前。用Ar离子对si片表面进行预溅射清 ．C3N4具有相当于甚至超过金刚石的硬度值。此洗，去除其表面因暴露大气而带来的污染。溅射 后，众多的研究团体对碳氮薄膜产生了浓厚的兴 功率800W，时间lO分钟。 趣，并采用许多种方法试图合成出具有超优性能 的碳氮薄膜材料。经过对碳氮薄膜材料多年的研 究，研究者发现碳氮薄膜具有新颖的机械、摩擦 性能和稳定的化学惰性以及特殊的电学和光学特 性。因此近年来，在保护涂层、耐磨涂层和光学 元件的制造上逐渐得到日益广泛的应用【2-5]。近 年来，许多不同的方法被用于合成碳氮薄膜。如 反应溅射、离子束辅助沉积、电子回旋共振一辅助 微波等离子体化学气相沉积、射频溅射、离子束 溅射等【6．13】。 本文采用直流磁过滤弧源沉积的方法在室温 下合成了不同N分压下的c：N薄膜。阴极材料采 用高纯度的石墨阴极，基体是Si(100)镜面抛光 刮l 阿流磁过滤弧源黻冒_：意图 的硅片。对合成薄膜的成分和化学键合态做了一 N2气由质罱流量控制器控制，经进气口通入 定的表征和讨论，同时通过测量薄膜和不同液体 10～Pa，阴极 真空室，N2分压从0逐渐增加到4X 间的接触角计算出了薄膜的表面能参数。 采用高纯石墨。样品编号和基本参数见表1所示。 1薄膜合成 表1 薄膜样品编号和基本参数 直流磁过滤弧源沉积是一种高效率薄膜沉积 lN分压(Pa)O 5×1009×10。22x10’14×10‘1 技术，具有沉积速率高(可达lnm，秒)，能量分布I样品编号 I# 2# 3# 4# 5# 狭窄，可产生具有一定能量的高度离化的等离子 偏压：+30v，弧流：50A，弧压；22V， 体的特点[14】，能够制备出高sp3键含量，耐磨损磁过滤管电压，电流：+15V／4A；靶距：170mm 和抗腐蚀的类金刚石薄膜，目前在制备类金刚石 薄膜方面逐渐被广泛采用。 2结果和讨论 图1是直流弧源的结构示意图。待沉积样品 2．1 拉曼光谱分析 被放置在靶台上，样品表面与磁过滤导管出口平 拉曼光谱是一种对碳结构具有高灵敏度的测 面的法线垂直。靶台距离磁过滤导管约170mm，试手段。JobinYiT64000型拉曼光谱仪被用来表征 靶台加30V直流偏压。沉积过程中，