Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备与特性研究.pdfVIP

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2017-08-13 发布于安徽
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Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备与特性研究.pdf

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第十五屠全冒化合物半导体．微波器件和光电翻·件掌术寺议广州’08 P007 Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备和特性研究谢自力，张荣，崔旭高，陶志阔，修向前，刘斌，李弋，傅德颐张曾，宋黎红，崔影超，韩平，施毅，郑有蚪 (南京大学物理系。江苏省光电功能材料重点实验室，南京，210093) 摘要：稀磁半导体由于具有电子自旋输运和存储特性r面倍受瞩El。近年来，稀磁半导体的III—V族氮化物研究取得了很大的进展。本文利用金属有机物化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长，^In掺杂GaN基稀磁半导体材料。原了力显微镜研究表明．少量的锸在样品表面起剑活件作用。x射线衍射和拇曼散射研究表明，当Mn的浓度很低(2．7％)时并没有观察剑第_相的出现，当№ 的浓度达到3．9％时观察到了第一二相。采用光学测试得到厂由于Mn杂质引入杂质能级和缺陷而产生。个很宽的发射和吸收谱。关键词：MOCYD，稀磁半导体，Mn掺杂，x射线衍射中图分类号：TN304．055、TN304．2+3EEACC分类号：0520、25200、2520Y Fabri cati onand i esofGaN——BasedDi I uted i C Propert Magnet Semi conductorS Xie XuGao，TaoZhikuo，Xiu Bin，LiYi，Fu ZiLi，ZhangRong，Cui Xiangqian，Liu Deyi Youdou ZhangZeng，SongNihong，ChuiYingCao，HanPing，ShiYi，Zheng of ofAdvancedPhotonicandElectronic fDepartmentPhysicals，NanjingUniversity：Keylaboratory 1 Materials，Nanjing，China，20093) as Call and of Abstract：Diluted attractedinterestmaterialsthat the magneticsemiconductors(DMS)havegreat supporttransportstorage DMS this DMSmaterialshavebeen ofIII-Vnitridesas hasmade Oal—xMnxN spin．Recently，thestudy greatprogress．Inpaper，the on substrates chemical structurewascharacterizedatomicforce vapordeposition．Surface by grownc-sapphirebymetalorganic andMnasasurfactantwas WasmeasureddiffractionandRaman second microscopy d