Si衬底GaN电镀金属基板LED芯片性能探究.pdfVIP

LED荟片设计、啊遣疆工艺技术 doi：10．3969／j．i昭n．1003-353x．20lO．心．OlO Si衬底GaN电镀金属基板LED芯片性能研究 王光绪1，熊传兵l’2，汪延明1，肖宗湖1，张萌l’2，江风益1’2 (1．南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心，南昌330047； 2．晶能光电(江西)有限公司，南昌330029) 摘要：通过电镀的方法将si衬底GaNLED薄膜分别转移至铜铬、铜镍基板上，并制备成不 同电镀基板的LED芯片。研究发现，铜镍基板LED芯片较铜铬基板d唧效应得到改善，说明铜 镍基板LED芯片具有更好的散热性能；高分辨xRD结果显示铜铬基板LED薄膜受残余张应力作 用，而铜镍基板LED薄膜则受压应力作用。表明在LED工作状态下铜镍基板LED芯片具有更优 良的力学性能；铜镍基板LED芯片的波长漂移较铜铬基板更小，且经过900mA常温老化192h后， 芯片电争I生能稳定。结果表明，铜镍基板LED芯片较铜铬基板具有更优良的力、热、光、电特性。 关键词：氮化镓；发光二极管；电镀基板；硅衬底 中图分类号：TN304文献标识码：A 文章编号：1003．353X(2010)增刊．0043．03 of甾．B嬲edGaN．LED耐tll Stlldy佃Chamctedstic MetalSubstrat豁 Electroplated WaIlgGuar垮m1，xiongChuaIlbin91’2，w粕gY姗in91，)【iaozong}lul， Zh锄gMen91’2，Ji觚gFengyil’z (1．晟“斌溉脑咖西够托咖威删澌向厶I删溉脚腻嘛而幽删眈l妇，^，口加胁，lg ‰毋，Ⅳd概33∞47，踟m；2．肠梳州(腑i)co，pD删拥，胁咖33∞29，秭妇) Abs岫瞄：GaNLED tran8felecI伽t0CuCr硼dCuNi眦tal fil腿grD帆onsi(111)sub吼埘e骶m found ofLED tll砒nle t咖8fen甜帆CuNi 鲫bstmt∞byel∞tmplating∞pemtely．1he咖dyd啪p如ct 0f thattlleCuNi鲫bst】献eh鹊benerheat tll釉that 鲫bstmte惴al：levi砷ed，indicating digpe玛i帅pmperty temile in‰LEDfilm∞Cucr Cucrsubst随te．ne 8ho啪tl眦nle瞄idualgtr∞s既ists h油麟oluti∞XRD 吼lbst豫leaIIdtlle gtI℃s8exis协intIIeLED indicatestheLED蚰 c咖pre瞄ive 6lm∞CuNi吼lbstrate，which CuNi8ubstrateh鹤bettermech舳ical LED蚰CuNi叫bstr龇eh鹊le8s Bh逾觚d perfb珊ance．The w钾elength stableelectrical 192h叫d