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Si／Si02界面的原子结构模型研究
杜龙欢，荣丽梅，杜江峰、于庆伟，郑小明
(电子科技大学微电子与固体电子学院成都610054)
摘要：理论计算已逐渐成为从原子尺度上研究Si／Si02界面特性的必要手段，选择合适的Si／Si02界面原子
结构模型是准确计算Si／Si02界面特性的前提。本文梳理比较了Si／Si02界面特性研究方面目前主要的实验
研究结果及其理论计算结果，介绍了Si／Si02界面原子结构模型及其特点。并从Si衬底晶向、过渡区的组
成与厚度以及电子特性方面，分析了这些模型的优缺点及其适用性。认为以亚氧化态si作为过渡层的模型
能更好的解释实验数据并适用于界面结构特性和电子特性等的仿真计算。本研究对改进Si／Si02原子结构
模型、研究界面缺陷，以及在原子尺度上分析界面缺陷对器件特性影响有着重要的意义。
关键词：原子结构；电子特性；界面结构；硅；氧化硅；过渡层；
AtomicStructuralModelof Interface
SFSi02
Du Limei，Du
Longhuan，RongJiangfeng，YuQingwei，ZhengXiaoming
andSolidelectronic ofElectronicScienceand ofChina
(Microelectronic Department，Univerity Technology
61
0054)
ChengDu
to at
Abstract：TheoreticalcMculationhasbecomean the interfacetheatomic
indispensablewaystudySi／Si02
an atomicmodelof interfacestructureisthebasic to
scale．Employingappropriate Si／Si02 requirementaccurately
calculatethe interfacecharacteristics．Themainresultsof andtheoreticalcalculation
Si／Si02 experimentalstudy
was atomicstructuremodelsof interface
ofthe interfacecharacteristicssortedand Si／Si02
Si／Si02 compared，and
wasintroduced．Theand ofthesemodelsandtheir were in
advantagesdisadvantages applicabilitiesanalyzed
as asthe andstructureofthe
termsofthe orientionof electronic well
crystal Si，the properties composition
intransitionwasa
transit
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