Al2O3薄膜制备与其性能研究.pdfVIP

刘红飞等：m。0，薄膜制备及其性能研究 A1。O。薄膜制备及其性能研究。 刘红飞，程晓农，张志萍 (江苏大学材料科学与工程学院，江苏镇江212013) 摘要： 采用a—Al：0。陶瓷靶材，以射频磁控溅射法薄膜中存在一定金属铝膜，这样就对其介电性能有很 在石英基片上沉积制备了非晶A120。薄膜。利用X 大影响，且大大降低了薄膜的抗腐蚀特性，从而使器件 射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)研究了薄 失效。采用低温等离子体复合技术制备的Al。03薄膜 膜的相组成扣表面形貌I利用划痕仪、表面粗糙轮廓仪 也是存在着缺氧的缺点。 测量薄膜与基片之间的结合力和薄膜厚度；利用阻抗 磁控溅射法具有工艺简单、成本低、成膜条件易于 仪和材料表面性能测试仪研究了薄膜的介电性能扣耐 控制、制备的薄膜致密性好、附着力强等特点，因此该 磨性能，同时还研究了薄膜的耐腐蚀特，巨。实验结果 方法应用广泛。本文首次以a—Al：03为靶材，改进工 表明：制备的非晶Alz 03薄膜表面平滑致密，随着溅射 艺，采用射频磁控溅射法在单晶硅和不锈钢等基片上 功率和工作气压的增加，薄膜沉积速率增加，薄膜表面 沉积制备了Alz0。薄膜，制备的薄膜为非晶态、表面平 颗粒增大；同时随着溅射功率的增加，薄膜介电常数运 滑致密，且具有高的膜基结合力以及优异抗腐蚀和减磨 渐增加、介电损耗逐渐减小．低功率沉积制备的A120。 特性。探索了溅射功率和工作气压对制备舢。q薄膜 薄膜介电常数为3．2；A120。薄膜与基片的结合力为 的沉积速率以及薄膜表面形貌的影响；研究了溅射功率 29．6N，摩擦系数为0．18，且具有良好的耐腐蚀特性。 对制备的～zQ薄膜的介电常数和介电损耗的关系。 关键词： A120。薄膜；磁控溅射；介电性质；摩擦系 数；耐腐蚀性 2实验 中图分类号：0484．4 文献标识码：A 2．1 A120。薄膜的制备 文章编号：1001—9731(2008)增刊一0365—04 采用P型(IOO)单晶硅片为基片，镀膜前，基片分 1 引 言 别用强酸、强碱和无水乙醇清洗。靶材的直径为 Alzos薄膜在光学领域、机械领域和微电子领域 右，以清洗靶材的表面杂质。溅射时，氩气流量和氧气 有着巨大的应用价值。同时随着研究的发展，薄膜的 性质不断完善，比如将具有正热膨胀系数的Al：0。和 且在沉积薄膜时，利用掩膜在基片上做出膜一基片的台 具有负热膨胀系数的ZrW：Oa薄膜复合来控制薄膜的 阶，以便用表面粗糙轮廓仪测量膜厚，从而计算出沉积 热膨胀系数，从而有效地避免了因薄膜和器件不匹配 速率。在薄膜表面和单晶硅基片反面用磁控溅射法镀 而导致的器件失效[1叫]。目前已有的制备Al。0。薄膜 方法包括：反应射频磁控溅射法、热水或热蒸气法、自 介电性能；溅射时间为120min，在其它溅射条件不变 然氧化法、电子束蒸发、阳极氧化法和溶胶一凝胶 的情况。分别在不同的功率、不同工作气压和不