退火处理对rr-P3BT微结构影响红外光谱分析.pdfVIP

第30卷，第11期 光谱学与光谱分析 01 and 2 0年11月 SpectroscopySpectralAnalysis November，2010 退火处理对rr-P3BT微结构影响的红外光谱分析 袁媛，李晨蔚，张建明。 青岛科技大学橡塑材料与工程教育部重点实验室，山东青岛266042 摘要聚一3谎摹噻吩(P3AT)作为一类苇要的p-型半导体聚合物由于其结晶度高，已被广泛地应用于场 效应晶体管、聚合物太阳能电池等领域。对于P3AT家族中一个重要的成员——等规聚一3一丁基噻吩(rr- P3盯)，由于其侧链最短，在普通有机溶剂中的溶解性差，所以限制了它的应用，相关的研究与报道也很少 见。然而与其他拥有更长侧链的P3AT相比，P3BT的结晶度最高，所以电子传导性和由此导致的自由电荷 迁移率理应最高。值得深入研究其分子结构调控与性能的关系。本文利用红外光谱研究了不同退火温度对 Form P3BT I晶型微结构的影响。 关键词P3BT；退火处理；微结构变化；红外光谱 文献标识码：A 文章编号：1000-0593(2010)11—0159-02 退火处理对P3BT侧链构象的影响：由文献町知1，随数处的峰较未处理前明显，代表全反式构象峰的分裂程度下 260cln 温度升高。P3AT反式构象的特征峰强度逐渐减小ffIi旁式构降，其中1 1波数处的峰完全消失。这说明退火后由 象的特征峰强度逐渐增大，发生反式构象向旁式构象的转 于结晶度的提高使得一部分在升温过程中形成的旁式构象峰 变，由此导致主链结构和品区结构的转变。因此本文首先讨 被同定在品格内，即使温度下降这部分旁式峰也不会转化为 论不同退火温度(60℃一构象转变速度最快时的温度；120℃一反式峰。因此再次升温时侧链中的旁式峰所占比蓖增大，反 构象转变完全时的温度)对P3BT升温过程中侧链构象的影式峰的分裂程度不明显甚至没有分裂，侧链结构的规整性下 响。图1分别比较了不同初始态样品在30度及150度时的降。 363 光谱，从该图中可看出退火后代表gtg’构象的1 CTtl_1波 O．1 uu—每c-o!；o《 O I 350 I 300 I 250 1 200 l 350 I 300 J 250 l 2(，o l 350 l 300 l 250 I 200 Wavcnumber／cm‘1 Wavenumber／cm～ Wavenumbcq／cm。I Effectofdifferent OnsidedlainconformationofP3BT Fig．I annealingtemperature 509 退火处理对P3BT主链结构的影响：1crn叫波数处 移动，峰面积略有增大(见图2)，说明主链的规整性下降。对 的峰归属于噻吩环的振动，代表主链的共轭长度。升温过程 图2所示的几种样品我们进行了变温红外光谱研究，分析结 509 中侧链的热搅动使嚷吩环发生扭转，这种扭转会导致主链的 果如图3所示，发