10Gbit%2fs+PIN-TIA光接收器组件的研制.pdfVIP

23．1OGbit／s PIN．TIA光接收器组件的研制 刘兴瑶杨现文 黄丹华 胡海明 唐健冠 (武汉电信器件公司 湖北武汉430074) 摘 要：本文较为详细的介绍了loGPlN／TIA光接收组件的主要技术难点和关键的分析 设计方法；同时介绍了武汉电信器件公司在这方面所做的工作以及目前所能达到的技术水平。 光接收器 钢镓砷探测器 关键词：P1N—T1A诞10Gbi‘／蚤跨阻抗放大器 10Gbh／s光纤通信系统在技术上是十 3．输出直流电平词节电路，限幅放大器 分成熟的，在国外已经大规模的商用，而国内 (LA)反馈电路，光电流监视电路的设计； 就主体而言，现有的光通讯结构基本上是 4．高低频去噪和电磁波辐射的抑制问 题； 2．5Gbit／s、多信道、固定波长传输系统。我 国光网络高端产品在商用化方面落后于国际 5．管壳设计和高速封装； 先进水乎的重要因素之一就是高速器件没有 6．PIN和TIA的电源去藕，高频滤波 国产化。武汉电信器件公司是我国最早和最 和PIN的击穿保护。 大的从事光电器件生产的厂商，也是国内最 当然由于信号频率高，电路设计时必须 早开发出10G高速PIN探测器的单位，经过 考虑电磁干扰(EMl)、电磁辐射(EMC)的问 多年的努力，现在我们10GPIN—TIA接收器题，进行信号完整性分析，当然，在进行高频 的主要指标也达到了国外同类产品的水平。 电路设计的时候，经验也是至关重要的。 本文旨在介绍10Gbit／sPIN—TIA主要的技 二、基本的电路分析 术难点和我们所采用的技术路线、实施方案． 最后给出我们的部分测试结果。 现在国外能够提供TIA的厂商很多，从 制作材料上说有GaAs、InGaP、SiGe等，从 一、技术难点 制作工艺上说有PHEMT、HBT、BiCMOS、 TIA 从技术上讲，开发10Gbit／s的PIN Bipolar等，供电形式有+1．8V、+3．3V、-+- 组件的关键就是根据TIA(Transimpedence 5V、+8V、一5V、一5．2等几种，跨阻抗也各 amplify)和PIN的性能，进行相关的外围电 不相同，所以不同的TIA会有不同的电路结 路的设计，并进行合理的封装，主要内容和技 构。我们以Vitesse的7998为例说明TIA 术难点存在于以下几个方面： 及其外围电路的基本形式，见图1，可见TIA 1．PIN—TIA谐振回路和分布参数的分 的内部电路中包括一个跨阻放大级和一个输 析； 出放大级，并且有一个反馈电路输入端FBIN， 2．输出微带线路的设计，包括阻抗匹 改变FBIN的输入电压就可以改变差分输出 配、交直流耦合方式和输出形式的转接等； 电路的直流电平，通常我们可以以某种连接到 ～632— 四、光有源器件与光电集成 “ 1工一