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Pb(Mgl／aNb2／3)03-PbTi03定向压电陶瓷的制备
与电性能研究
孙士文1,3王评初2，潘晓明2，朱丽慧3，杨建荣1
(1．中国科学院上海技术物理研究所，上海200083；2．中国科学院上海硅酸盐研究所，上海
200050；3．上海大学材料学院，上海200072)
f本毪乡 。 似t
向及介电、压电性能进行了研究。结果表明，Pb(MglBNb2n)03PbTi03的晶粒择优
定向陶瓷表现出最优的介电、压电性能-
1．引言 b3~o．90-0．94，岛～O．6—0．62)，但成分不均匀、
Pb(Mg】BNb∞)03-PbTi03(PMN-rr或 生长周期长、成本高以及机械加工性能差等
PMNT)为钙钛矿结构的弛豫铁电体，该材料限制了PMNT单晶的工程应用。与单晶相比，
因具有优异的介电、压电和电致伸缩性能而 陶瓷材料具有成分均匀、成本低以及易于制
在压电换能器、高应变驱动器、超声成像等 备大尺寸复杂形状构件等特点，但压电性能
方面具有重要的应用前景。研究表明，PMNT相对较低(例如PMNT陶瓷的如高的可达
单晶具有优异的电性能(例如PMNT67／33，F
一5000，tgdl％，如3—3000pcm，
因为压电体的压电性能具有强烈的各向异
性，然而采用传统的陶瓷制备方法制备的压 所制得的陶瓷外观形貌呈淡黄色．半透
电陶瓷在极化之前是各向同性的，由于固体 明。将#2样品抛光后，用热浓盐酸腐蚀．
中的晶粒不能转动，因而通过极化过程使材 在光学显微镜下观察其组织形貌，垂直于生
料具有各向异性的程度也是有限的，这是陶
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