二次电子发射系数的光电测试方法研究.pdfVIP

真空与低温 第20卷 第6期 332 Vacuum ＆Cryogenics 2014年 12月 二次电子发射系数的光电测试方法研究 杜威志 ，王多书 ，李 晨 ，张 玲 ，王济洲 ，董茂进 (1．中国科学技术大学，安徽 合肥 230000； 2．兰州空间技术物理研究所真空技术与物理重点实验室，甘肃 兰州 730000) 摘要 ：采用电子枪产生的电子进行材料二次电子发射系数的测量与研究，该方法 由于实现过程较为复杂且很难 获得微小流量入射原电子等限制了其应用。故采用紫外激发金属锌获得入射原电子的方法 ，利用高压电源和静电 计 ，实现了材料二次电子发射系数的精确测量。在电子倍增器中分别测试单级打拿极二次电子发射系数和倍增器增 益 ，比较后获得了材料二次电子发射系数精确测量的方法。利用该方法，研究了氧化镁材料的二次电子发射性能，得 到了基于氧化镁发射材料的电子倍增器增益。 关键词 ：二次电子；发射系数 ；氧化镁；光电测试 ；方法 中图分类号：0462．2 文献标志码 ：A 文章编号 ：1006—7086(2014)06-0332-04 DoI：10．3969~．issn．1006·7086．2014．06．006 STUDY oFSECoNDARYELECTRoNEM ISSION COEFFICIENT BYPHoTOELECTRICTESTMETHoD DUWei-zhi’，WANGDuo-shu2,L1Chen，ZHANGLing~,WANGJi-zhou，DONGMao-jin I1．UniversityofScienceandTechnologyofChina，HeifeiAnhui 230000，China； 2．ScienceandTechnologyonVacuum TechnologyandPhysicsLaboratory， LanzhouInstituteofSpaceTechnoloyg andPhysics，Lanzhou Gansu 730000，China) Abstract：Themethodofmearsurementandstudyonsecondaryelectronemissioncoefficientbyelectronsproduced byelectrongunlimitstheapplicationwiht complicatedimplementationprocessanddifficultacquisitionofmicro-·flow in-· cidentprimary electrons．Thereforeanacuratemeasurementofsecondaryelectronemissioncoeffi cientneedsthemethod ofobtainingincidentprimaryelecteonicsbyulrtavioletexcitationmetalzincthroughhighvoltagepowersupplyandelec— trometer．Respectivelyteststand-alonedynodewithsecondaryelectronemissioncoeffi cientandmultipliergaininelectron multiplier．Anacuratemeasurementofsecondary electronemissioncoeffi cientisobtained．Sutdythesecondary electron emissionperformanceofmagnesiumoxide{MgO)materialaftercompa