砷化镓探测器的质子灵敏度测量.pdfVIP

全国第四屠棱监测学术会议论文选寨 lhe41h Nalion刚Oonf曾∞∞∞NIIc|e甜M∞Ilorl『Ig Proc∞din驴of 砷化镓耀塑堕置的亟予曩鸯堕堕测量i嘉0，≮ 杨洪琼 杨瑞华 杨建伦王根兴唐正元马 驰 郭玉芝 、‘。 (中国工程物理研究院棱物理与化学研究所．绵阳．621900) 将聚变中子转换为质子．利用巳知灵戢度的撂测系坑作绝对捌量．研究国产砷化悚探测嚣的质子夏敏度． 结果表明t镉上中子和14MdV中子辐厢改性处理的茸产G^山tQ光电导撵舅嚣(简耘PcD)的质子直照夏敏 度在1．o×10叫‘～2．2×10-1‘c／MeV范田。测量误差均为士25“． 』 j关键词：GtAJtcr质子直照灵敏度 0引言 砷化镓探测器(简称PcD)是一种超快响应的强流脉冲辐射探测器。它对x射线、7射线、 光、中子、质子等带电粒子都灵敏．在某些领域得到广泛应用“】．我们已对国产PcD进行了基 本性能方面的研究【2潮，测量了探测器的时间响应、输出电流能力、7射线灵敏度、聚变中子灵 敏度、中子辐照处理改性等脉冲性能．目前，国内无合适的强流质子脉冲辐射源，给PCD的质 子灵敏度研究带来很大困难．这里t我们介绍将聚变中子辐射脉冲转换为质子辐射脉冲．利用 已知灵敏度的电流型半导体探测系统(简称PIN)和法拉第筒探测系统(简称F℃)的绝对测量 结果．研究国产砷化镓探测器的质子灵敏度．获得了镉上中子和14MeV中子辐照改性处理的 国产GaAs：Cr光电导探测器在1．6kV偏置电压下的质子直照灵敏度． 1质子灵敏度测量方法 1．1 PcD质子灵敏度的测量原理 1．1．1PCD探测质子的原理 国产PcD是双端半导体器件，这种器件在任意偏置电压下都具有全激活体积。当质子脉 冲辐射到探测器两接触电板之间的灵敏区时，在内部产生自由电子和空穴。这些自由载流子在 施加的电场下漂移．于是在外部线路中形成电流． 对于质子脉冲辐射是面吸收效应，根据面效应公式，探测器的输出电流正比于吸收辐射功 率： ，=尸t％r(t以)一1 (1) 公式中，J为探测器输出电流IP为探潞器吸收的辐射功率，。为电子电荷I珊为载瘴子漂移速 度}r为载流子寿命I”为形成一对电子空穴对所需要的平均能量Iz为探测器沿施加电场方向 的长度． 我们把探测器的质子灵敏度s定义为单位吸收功率输出的电流或单位吸收能量输出的电 荷： s一，尸-1 (2) 129 1．1．2PcD质子灵敏度测量的简单原理 PIN和Fc探测系统多次用于聚变中子绝对测量，对于PIN探测器和FC探测器的质子 灵敏度也经过多次标定和理论计算。因此，利用已知灵敏度(探测系统的中子灵敏度或探测器 的质子灵敏度)的PIN和FC探测系统进行绝对测量，通过测量数据的比较，获得PcD的质子 直照灵敏度。 1．2 PcD质子灵敏度的测量方法 1．2．1概述 利用反冲质子法，将聚变中子辐射转换为质子辐射．当中子入射到真空靶室内的聚乙烯转 换靶上，发生(n，p)散射，产生反冲质子。在与中子入射方向成45。角的方位上·用PIN探测器、 Fc探测器和P(’D探浏器分gq测量来自转换靶的反冲质子． 1．2．2实验装置 由聚变中子源、准直限束器、反冲质子真空靶室、探测器(PIN、F℃、PCD)、信号传输线和记 录仪器构成各套测量系统．图1是探测系统的示意图． 户一 ．J■土 。●一I 。■■●一_ 一 鼯疑． 。《