触发真空开关的触发实验探究.pdfVIP

178 2012电工测试技术学术空蠢会论文奥 触发真空开关的触发实验研究 龙兆芝 (中国电力科学研究皖计量研究所，武汉430074) 暮蔓：$Z±■日R ％蛇*m簟措m齄发饭电《和能量N**#曲H《存在较^形畴的蚺论。在n基日l：日宄T*高触发饭电藏峰恤目陡廑的 方＆：(1^接月电弈＆电齄发Tvs．《n『t∞H．自f舄娈R *t事：TVS*：*＆电m：捆巷：续流目蹄：导通时《 0引言 Switch，TVS)是脉冲功率技术中一种重要的开关器件．其结台真空 触发真空开关(州ggcrcdVacuum 开关技术和3电楹火花问隙技术，利用真空作为主电极问的绝缘介质和灭弧介质，并采用特殊设计的触发极 控制开关的闭合114I。Tvs具有体积小、通流能力强、不易受电磁干扰，触发简单可靠并忧点．在高功率脉 冲方面像大功率激光器、大功率微波电源、电磁发射技术等方面得到了广泛应崩[21141’删。但Tvs应用于高电 压、大电漉脉冲顿域时，存在的关键问题是关合时延与抖动较大．据报道。应用于大功辜脉冲装置中的旋 精确触茂成为研咒的重要内容之一，本文针多棒极型Tvs的触发回路进行了研宄和改进。 Tvs触发原理 1vs的触发板结构有两种主要的方式：沿面击穿放电和i可障击穿放电。但问隙击穿型Ⅳs存在一些问 题：园为触发极与阴极相距未近，工艺制作较难控制，甚至出现触发极与阴极接触而短路的情况；其次击 穿电压较高，郎使触发极表面涂敷丫一层放射性材料来降低场致电子发射难度，但分散性较大。所以常用 的处罚点击结构为沿面击穿型。本文的研究为沿面击穿型的一种类型——多棒型Tvs，图I表示其结捣示 意图．阳投和明极备多个棒电极．室错排列，如图采用特殊的电极材料以减少导通大电流时的电极斑蚀。 在阴极平台中央是触发投．触发投递过瓷环环固定在瞬极上，井由瓷环的侧表面构成触发极和阴掇之阍的 绝缘沿面问隙． 隔鬻 辫 、-¨ 目ITVS自Ⅲ***§∞ 棍据=次次也于发射删(SEEA)理论【：在井触发高压脉冲施加在触发橙与阴桩之问时，在金属、介 质和真空的兰者交界处，由于电场畸变产生场致发射。发射出的电子沿绝缘表面运动，在电场的加速下会 撞击绝缘表面并产生更多的二次电于¨卅。这种倍增关系由于电场的作用发展到正极性端．最终导致从阴授 2012电I测试技术学术空流会沦文集 179 到阳极的闪络现象…H121。与此同时，闪络提供了初始等离子体。初始等离子体经扩敲进入主间隙后在电场 作用下向阳极移动．使主问隙导通。图2表示了TVS内部等离子体的扩敝路径。由于触发极通过太电流后 根容易被烧蚀．所以触发极的寿命决定TVS的寿命呻7I。所以本文研究的Tvs改变触发投的位置，避免触 发板接触到主电弧：但等离子体产生后不能直接引发主间隙的击穿．必须扩触到主间隙问才能发挥作用． 所以对触发回路提出了更高的要求。研宄表明t对于外触艘回路而言，触发板相对与阴极为正极性触发时， 3]。 触发时延要低于负极性触发，且分敞性要小，TV$导通时间在雌量级1711 2脉冲变压器直接触发方式 通常情况下，使用脉冲变压嚣产生单个高压脉冲加在触发极两端来触发Tvs．图4为变压器触发Tvs 的电路图，电容充电回路与主电路相同，只是电容量有所区别，实验表明：当触发回路电容日大于25心 时，增加电容量对变压器副边电流和Tvs导通时延影响不大，原因如图5所示．随着电容量的增大，变压 器副边电流的峰值增大．但同时电流的上升陡度变缓．当电容增大到一临界值时．电流上升时间等于开关 的导通时延，如图ll所示，再tl之后的电流对TVS的导通无效，所以电容量过太反而不利于Tvs的导通。 燧∑、 厂lH¨址旧¨jiiL 尊