绝缘衬底对CVD生长石墨烯的影响研究进展.pdfVIP

· 13O · 材料导报A：综述篇 2015年2月(上)第29卷第2期 绝缘衬底对 CVD生长石墨烯的影响研究进展 陈彩云 ，戴 丹 ，陈国新 ，巩金瑞 ，江 南 ，詹肇麟 (1 昆明理工大学材料科学与工程学院，昆明 650093；2 中国科学院宁波工业技术研究院，宁波 315201) 摘要 石墨烯 自从 2004年 问世之后，由于独特的结构和优异的性能很快便成为了碳素家族的明星而引起 了 各界的关注。石墨烯独特的电学性能使其有望替代硅成为下一代半导体工业的主角。然而要实现石墨烯电子器件 的构建，必须先解决在绝缘或半导体衬底上直接制备石墨烯的难题。综述 了近几年不同绝缘衬底对化学气相沉积法 制备石墨烯所产生的影响，分析比较 了不同绝缘衬底的优缺点，并展望了石墨烯的发展及应用前景。 关键词 石墨烯 电学性能 制备 绝缘衬底 中图分类号：T13321；0484 文献标识码：A DOI：10．11896／j．issn．1005-023X．2015．03．022 ResearchStatusonInfluencesofInsulatingSubstratesonChemical VaporDepositionofGraphene CHEN Caiyun ，DAIDan2，CHEN Guoxin2，GONGJinrui ，JIANGNan2，ZHAN Zhaolin (1 FacultyofMaterialsScienceandEngineering，KunmingUniversityofScienceandTechnology，Kunming650093； 2 NingboInstituteofIndustrialTechnology，ChineseAcademyofSciences，Ningbo315201) Abstract GraphenehascaughtwideattentionduetOitsuniqueandexcellentpropertiessinceitsfirstisolation in2004．Duetoitsoutstandingperformancesuchashighcarriermobility，high elasticityandopticaltransparency， grapheneisexpectedtobecomethepotentialfunctionalmaterialwhichisappliedtosemiconductorindustry．Although metal——catalyzedchemicalvapordeposition couldachievethegrowngraphenereplaced theunderlyingdielectricsub—- stratesbythepost-removalofmetal，itstillcannotavoidthemetalcontaminationsordamageofgraphenefilm．Itis necessarytoprepareagraphenefilm whichdirectlygrowsonaninsulatingsubstrate，whenthegrapheneisusedin electronicdevices．Herein，therecentprogressandsomeimportantresearchresultsingraphenedirectlygrownonin— sulatingsubstratesareintroduced，andfurtherapplicationsbasedongraphenearebrieflyintroduced． Keywords graphene，electricalproperties，preparation，insulatingsubstrate 化学氧化还原法 、SiC外延生长法和化学气相沉积 (CVD)法 。 0 引言