脑磁图与诱发电位发生源研究概况.pdfVIP

维普资讯 一7L}／ 磁图 覆霞 亥 242 ‘ l 堕鱼堂鲎． 吨生l1{ 整旦堂苤 塑 c 一 ! !一些)． !! ． 9 哦固 综·述· 脑磁图与诱发电位发生源研究概况 潘映辐 fv．7年／．9 ， — — 前尚无脑磁图(MI)的研究报告，但国外在MEG 述各项 MEG研究均以此法为基础。 研究方面进展迅速：随找国科技与经济的迅速发展 ，相信 由于MEG对浅层切向偶极的检测和EEG(EP)对较深层 MEG技术对我们并不是遥远的事。 径向偶极求逆各有其优越性 ．本文重点介绍 MEG对诱发 随着多学科的进展 ．已可对脑电图(EEG)和 MEG进行 磁场发生源研究概况，顺便提及 EEG(EP)研究结果 _I维定量 。 1 MEG与 SEF 近年 FXf．；由于道程数增多到 印道以上．甚至达 128或 256道：这时电校闻的距离为225一I．95an，这对提高 唧 首先通过体感刺激的脑磁场——体感诱发磁场(SEF)和 空间分辨率有～定作用。如果继续增加电极数量 ．则无何意 运动相关皮层磁场 (MRCF)，可确定中央前 后回的位置，如 义。根据电磁场的基本规律，由头皮测得的电位经求逆推导 果由于病变使这些区域移位．那么，在术中可用脑表面电极 皮层表面电位分布，克服 颅骨的低通作用。这是80年代 直接记录加以证实。此外，MEG尚可对外侧裂上缘的第二 后EEG分析技术的一大进展，是提高 EEG空间分辨率更好 体感区(SⅡ)和顶后皮层进行定位，，EFJ．；和 EP对此是难以 的方法．即所谓 “高分辩率EEG ： 检测的。由此使我们能够应用 MEG对不同脑部疾病的发病 近年发展的MEG技术，尤以90年代后发展的头盔式的 要机理作进 一步理解 。正 中 SEP显示有低 幅高频 (6OO 多道 (1130～200道)脑磁测量仪，是研究脑神经机能状态的叉 t~)Ib波震荡性暴发(c~i]]aterybI|rsL)重叠在 成分上( 是 重大进展 3b区锥体细胞的兴奋性突触后电位)。主要有两个 60O14z 无论多道EEG或头盔式 MEG，要进行三维定量，必须与 震荡放电源，用 MEG可对其中一个小渡发生源定位．它紧密 偶扳子建模 (或求逆法)相结合 ，才能测得诱发电位(EP)发生 靠近手区一摄体感皮层(SI)，在 周围。因为 Mm 记录偏 源的偶极(或脑部病灶 ，如癫痫发生源)的部位、强度和方向： 向于切向和表浅的发生源 ；而另一个高频震荡发生源在丘 而且求逆的结果，现在多和个体的三维重建的MRI相融合． 脑附近，其时间窗在P和 之间，MEG则不易检出。 使 EP的发生源(或脑部病灶)可以更精确的定位。以下主要 下肢胫后神经SLSEP显示同侧波幅(Amp)高，