第九讲-2-1 MEMS.ppt

二、表面微加工 表面微加工技术主要靠 在基底上逐层添加材料而构造微结构 表面微加工器件组成 MEMS 器件的表面微加工流程 牺牲层技术 概念 是加工悬空和活动结构的有效途径。 影响牺牲层腐蚀的因素 1、牺牲层厚度 2、腐蚀孔阵列 3、塌陷和粘连 表面微加工中的力学问题 表面微加工技术存在着三个主要的力学 问题： ⑴ 层间粘附；⑵ 界面应力；⑶粘连 解决方法 1、最简单的方法式在漂洗和吹干期间，尽量 防止微器件与基体的接触，从液体中抽出器 件时尽量减少器件上的作用力，在最后一道 工序中采用低表面张力的液体。 2、超临界干燥 3、低于三相点 应用举例 利用牺牲层制造硅梁的过程 B、局部氧化生成SiO2 C、淀积多晶硅并刻微梁 D、横向腐蚀形成空腔 表面微机械加工应用材料 表面微机械加工要求所应用的材料是一组相互匹配的结构层、牺牲层材料； 结构层材料必须满足应用所需的电学和机械性能； 牺牲层材料应有好的粘结力、低的残余应力，同时既满足工艺条件又不产生相反作用等； 1、多晶硅表面微机械加工 在多晶硅的表面微机械加工中，以掺杂或 未掺杂的多晶硅作为结构材料，氧化硅作为 牺牲层材料，氮化硅作为基体绝缘材料，HF 酸作为化学腐蚀剂组成一组合理的材料系。 1）、多晶硅材料的主要特点 2）、多晶硅的淀积方法 3）、淀积态的薄膜应力 平均残余应力和应力梯度依赖于淀积条件；薄膜初始态的微结构对最终薄膜的性能产生明显的影响。 薄膜内存在的应力梯度形成一个挠矩，使细长条的微结构发生挠曲。 晶体薄膜的平均应力和应力梯度受结晶位向的影响较大，[110]位向，应力值最大；无规取向，应力值最低。 4）、未掺杂薄膜的退火 LPCVD淀积的多晶硅多数呈本征压应力，该压应力不是由热错配造成的，而是成膜过程中硅晶粒长大的交互作用所致，要消除该压力，就必须在再结晶温度退火。 5）、原位掺杂 淀积多晶硅的同时进行掺杂称为原位掺杂。 2、二氧化硅表面微机械加工 在表面微机械中，广泛采用的SiO2生长和淀积方式是热氧化和LPCVD。 3、氮化硅 表面微机械加工的特点 1、在表面微机械加工中，硅片本身不 被刻蚀，没有穿过硅片，硅片背面也无 凹坑 2、表面微机械加工适用于微小构件的 加工，结构尺寸的主要限制因素是加工 多晶硅的反应离子刻蚀工艺 3、形成层状结构的特点为微器件设计提 供较大的灵活性 4、可实现微小可动部件的加工 5、与IC工艺兼容性好 表面微机械加工技术的应用 利用表面微机械加工技术，可以加工制造各种悬式结构。这些结构可用于微型谐振式传感器、加速度传感器、流量传感器和电容式、应变式传感器中 还可以加工制造各种致动器。 三、LIGA工艺 微电子工艺的两个主要的欠缺： ⑴几何深宽比低 ⑵要使用硅基底材料 主要特点 与其他立体微加工技术相比，LIGA工艺具 有如下特点： 可制作高度达数百至1000um，高宽比大于 200，侧壁平行线偏离在亚微米范围内的三维 立体微结构； 对微结构的横向形状没有限制，横向尺寸可小到0.5um加工精度可达0.1； 用材广泛 与微电铸 、注塑巧妙结合可实现大批量复制生产，成本低。 3、微电铸工艺 LIGA技术由四个工艺组成： LIGA工艺中的基底材料 基底材料必须是一个导体或者是涂有 导电材料的绝缘体 ； 原因是便于电镀 光刻胶材料 对X射线辐射敏感； 高分辨率，且对干法和湿法腐蚀有强抗腐 蚀性； 在140℃以上能保持热稳定； 未曝光的保护部分在整个过程中完全不溶 解； 在电镀过程中与基底必须保持良好的粘合 性 电镀 电镀在LIGA工艺中是一项很关键的步骤 SLIGA工艺 SLIGA工艺用来解决微结构和基底的粘附； 原理：在PMMA防蚀层与基底之间插入一牺牲 层，旨在电镀之后完成模板与基底分离； 其它LIGA工艺介绍 准LIGA技术 1、LIGA掩模板制造工艺 2、X光深层光刻工艺 微电铸工艺 4、微复制工艺 深X-射线光刻地光刻胶性质 好 差 好 好 好 在基底地粘附性能 很好 很差 好 很好 差 胁强腐蚀 很好 好 很差 很差 很好 侧壁光滑性 很好 好 很差 一般 很好 分辨率 一般 一般 非常好 好 差 敏感性 PLG PMI PAS POM PMMA 性质 * * 第九章微制造综述 主要内容： 概述（主要MEMS制造技术分类） 体硅工艺 表面工艺 LIGA工艺 裸片 淀积薄膜 利用光刻图形化 淀积牺牲层膜 图形化牺牲层 淀积机械结构薄膜