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熔体的对流对固液界面的形状会造成直接的影响，而且还会影响杂质的分布。 总的说来，自然对流、晶体提升引起的对流不利于杂质的均匀分布； 晶体和坩埚的转动有利于杂质的均匀分布，但转速太快会产生紊流，既不利于无位错生长也不利于杂质的均匀分布。 直拉生长工艺 熔体对流 直拉生长工艺 自然对流：由于熔体周边的温度比轴心高，底部温度比上部高，在重力的作用下熔体形成对流. 对流的程度可由格拉斯霍夫(Grashof)常数(Gr)来判断。 a液体热膨胀系数； d坩埚内径或液体深度； △T熔体内最大温度偏差； Vk液体动力黏滞系数； g重力加速度。 由于Gr∝d3，坩埚内径d越大，液体越深，液面越大，自然对流程度越大，甚至会形成紊流，影响单晶的正常生长。 对硅而言，Gr=1.56×104ΔTd3，临界值为105。经估计，在目前热场条件下，其值可达108，所以必须依靠其他的对流来加以抑制，才能使晶体生长稳定。 直拉生长工艺 直拉生长工艺 晶体转动的影响：晶体转动一方面可以改善液体温度的轴对称性，另一方面又可抑制自然对流。 晶体转动会使紧临固液界面下的熔体往上流动，并借助离心力往外流动，这种流动与自然对流作用相反。由晶体转动引起的液体流动程度，可由瑞洛尔兹(Reynolds)常数Re来描述 式中r为晶体半径；ωs为晶体的转速。 在液面宽而深的情况下，晶体转动引起的流动，只能在固液界面下的小区域内起作用，其他区域仍主要受自然对流影响。 当液面变小深度变浅时，晶体转动的作用就越来越大，自然对流的影响就越来越小。 如果Re超过3×105，则晶体转动也会造成紊流。对φ8in的晶体而言，要达到3×105，晶转要在20r／min以上。 直拉生长工艺 直拉生长工艺 坩埚转动将使外侧的熔体往中心流动，其影响程度由泰乐(Taylor)常数(Ta)来判定。 式中ωc为坩埚转速；h为熔体深度。 埚转不仅可以改善熔体的热对称性，还可以使熔体的自然对流呈螺旋状．从而增加径向的温度梯度。 晶转和埚转交互作用下的四种可能的流动形式 直拉生长工艺 当晶转和埚转的方向相反时，引起熔体中心形成一圆柱状的滞怠区。在这个区域内，熔体以晶转和埚转的相对角速度做螺旋运动，在这个区域外，熔体随坩埚的转动而运动。熔体的运动随晶转与埚转速度不同而呈现出复杂的状况，若晶转埚转配合不当，容易出现固液界面下杂质富集(贫乏)层的厚度不均匀，造成晶体内杂质分布的不均匀。 ⑧收尾 晶体等径生长完毕后，如果立刻将晶体与熔液分离，热应力将使晶体产生位错排和滑移线，并向晶体上部延伸，其延伸长度可达晶体直径的一倍以上。 为避免这种情况发生，必须将晶体的直径慢慢缩小，直到接近一尖点才与液面分离，这一过程称为收尾。收尾是提高产品实收率的重要步骤，切不可忽略。 此后，将生长的晶体升至副炉室中，待冷却后拆炉。这样，便完成了单晶生长的一个周期。 直拉生长工艺 我国硅单晶生产设备发展状况 国内硅的单晶炉主要生产厂家 硅单晶主要生产厂家 (具备150 mm的单晶生长) 2006年前统计 化合物半导体晶体的生长 元素半导体在它们的熔点下的蒸气压是很低的，如硅、锗(10-9mmHg)。而大多数化合物半导体则含有挥发性的组分，如果不采取专门措施，这些挥发性的组分就会迅速地从熔体里蒸发出来。只有锑化铟是例外，它可用通常的直拉法生长。 为了防止组分挥发发展了许多特殊的生长方法。所有这些方法的一个共同的特点是在封闭系统中生长单晶。或者封闭整个装置或者封闭熔体。 砷化镓(GaAs)是化合物半导体中最重要、用途最广泛的半导体材料之一，也是目前研究得最成熟、生产量最大的化合物半导体材料。 化合物半导体晶体的生长 GaAs单晶生长工艺比较成功的主要有 液封直拉法(Liquid Encapsulation Czochralski,LEC) 水平布里支曼法(HORIZONTAL Bridgman,HB) 垂直梯度凝固法/垂直布里支曼法(Vertical Gradient Freezing/Vertical Bridgman,VGF/VB) 蒸气压控制直拉法(Vapor Control Czochralski,VCZ)。 化合物半导体晶体的生长 液封直拉生长法（LEC） LEC法是生长用于制备高频、高速器件和电路的准非掺杂半绝缘砷化镓(SI GaAs)单晶的基础和主要工艺。目前,市场上92%的SI GaAs单晶是采用LEC法生长的。 采用多加热器生长炉可从28kg砷化镓熔体中生长出直径达150ｍｍ的单晶。PBN坩埚可重复使用，晶体生长通常是在2MPa氩气氛下进行，通过调整B2O3中的含水量控制晶体中的碳含量，EL2浓度则主要通过锭退火调控。 化合物半导体晶体的生长 液封直拉生长法（LEC） 主要优点是