光刻旋涂中的膜厚分析与数值模拟.pdfVIP

光刻旋涂 中的膜厚分析与数值模拟一一 刘学平 郑 钢 光刻旋涂中的膜厚分析与数值模拟 刘学平 郑 钢 1．清华大学深圳研究生院，深圳，518055 2．清华大学，北京，100084 摘要 ：旋涂法是光刻工艺中涂胶的重要方法，在旋涂经典 EBP方程和考虑挥发与转速 关系的溶剂 挥发模型基础上 ，通过数值模拟对溶剂挥发模型提 出的过渡点增加 了动态参数 因子补偿 ，得 出更合理的 膜厚拟合方程。通过 自制的旋涂验证装置进行光刻涂胶 实验并采集相关实验数据来验证拟合方程的正 确性。利用该优化的拟合方法来指导实践 ，可制定更为合理的实际工艺参数。 关键词 ：旋涂；动态补偿因子 ；溶剂挥发 ；膜厚 中图分类号 ：TQ630．6 DOl：10．3969／．．issn．1004—132X．2015．06．005 AnalysisandNumericalSimulationofFilm ThicknessofPhotoresistSpinCoating IiuXueping ZhengGang’ 1．GraduateSehoolofTsinghuaUniversityatShenzhen，Shenzhen，Guangdong，518055 2．TsinghuaUniversity，Beijing，100084 Abstract：Thespincoatingmethodwasanimportantmethodforphotoresistcoatinginthephoto— lithographyprocess．Basedon themodeoftheclassicalEBP equation and solventevaporationmode which consideredtherelationshipbetweenthesolventevaporationandspinspeed，andthedynam icpa— rametercompensationwasaddedthroughthenumericalsimulationofthetransitionpointtogetafur— thermodifiedequation．Thevalidityofthemodifiedequationwasverified by theexperimentaldata collectedbythelab madespin coating device．Morereasonableprocessparameterscan beobtained with thisoptimizedfitting method． Keywords：spincoating；dynamiccompensationfactor；solventevaporation；film thickness 0 引言 [6]在考虑挥发的基础上对挥发因子进行了修正， 典型的旋涂过程主要分为滴胶、旋转匀胶和 但其修正系数为常数 ，与转速无关 。通常 的旋涂 溶剂挥发三个步骤。首先，将旋涂液滴滴 到基 片 光刻胶工艺膜厚约为几百纳米到几微米 ，时间周 表面上 ，然后通过高速旋转将液滴铺展开来 ，形成 期 40S左右 ，旋转速率无需染料旋涂那么高，但 均匀薄膜 ，再干燥蒸发掉剩余 的溶剂 ，最后便得到 其膜厚数值分析原理仍具有一定的借鉴意义。本 性能稳定的薄膜 。旋涂法是重要 的工业技术 ，它 文采用补偿与转速相关 的动态挥发 因子，来修正 具有工艺简单 、成本低廉、操作简单等优点，因而 膜厚拟合求值公式并进行实验验证。 在工业很多领域都有应用。在硅片晶圆上采用旋 1 EBP方程及 Meyerhofer分析模型 涂工艺涂覆光刻胶是制作集成电路芯片的重要环 节。随着信息技术智能化的发展 ，芯片的制造愈 对于旋涂模型，Emile等Ⅲ总结 出了牛顿流 发重要