Eu-%272%2b-%3aMAl-%2c2-O-%2c4-(M%3dBa-%272%2b-%2cSr-2%2b-的发光和晶体化学键相关性研究.pdfVIP

相关性的研究 杨明1，2武志坚1张思远1 (1．中国科学院长春应用化学研究所稀土化学与物理开放实验室长春130022 2．长春工程学院应用化学系长春13002t) 化学键参数进行了计算，讨论了晶体中E一+的发光性与其所取代高于格位的化学 键性质问的关系。 相关性格位 关t词 化学键Eu2+：MAl204(M|-略+，Srz+) 爿 E一+在晶体中的发光早巳引起了人簟1舶注意，稀土三基色荧光粉中蓝色粉主要以 Eu2+为藏活离子，赶来发现丁以Eu2+为激活离子的长余辉荧光材料和可调谐固体激光材 料等，倍受研究者们的重视。众所周知，Eu2+在晶体中的发光机制是激发态Me5d的晶场分 量囊基蠢‘s忱(4f7)的电子曰∈迁，由于晶场环境的作用，其激发光谱和发射光谱表现为宽带， 由低能部分的晶场到基态的跃迁产生了发射光谱，由于这种跃迁属于允许跃迁，因此发光较 强。此外，由于5d电子裸露于外边。受磊场环境影响较大，在不同基质中可以产生由紫到红 不同波段的发光，这是一个非常有趣的现象。 MAl2仉：Eu2+(M=Ba，Sr)作为新型磷光体表现出稳定性好，余辉时间长，量子效率高 等特点。M^k仉：Eu2+的发射波长不仅依赖基质，同时也依赖它在晶体中的格位， 发射波长分别为445nta和520nm。同一晶体中的这种波长差异就是由于不同格位造成的。 激发态4P5d韵船级劈裂情况是由晶场环境决定，Eu2+在晶体中的对称性，化台物的组 成及其化学健的性质对能级劈裂影响较大。在SaAl204晶体中S,2+具有两种不同孵格位， 中的化学健性质是央定Ef+发光行为的重要因素。长时间以来，研究者们在不同材料中做 了大量光谱实验，但对于光谱变化与基质问的相关性尚未认真研究。本文的目舶就是利用 的关系进行一些理论探索。 1理论方法 当前，P-V理论对晶体中化学键的处理是比较成功的。但这一理论只适用于二元晶体， 4ll 主要是A“B8“型晶体。Levine发展了P-V理论并应用到AB。和A。B。型晶体，对于多元的 复杂晶体该理论并没有给出明确的表达式。 近年来，复杂晶体的化学键的介电理论已被提出，该方法按照晶体的具体结构将多元的 复杂晶体的化学式分解为多个二元形式的链子式之和的形式?如式1所示： A：．A：2…AOBhB22…蹦，=三i．fA溉f (1) mi=Ⅳ(伊一^‘)“／Ⅳ翻，可=N(A1一伊)bj／Ncsj 式中A‘和∥分别代表不同元素或同一元素不同格位阻离子和阴离子，ai，如代表相应元 素原子的个数，Ⅳ(∥一A‘)表示与Ai离子相配位的∥离子的个数，．Jv(A‘一∥)也与此相 同，‰和Ⅳ∞分别代表A‘和∥离子的最邻近配位数，对于任意一个由A，B商子组成产 键，假设蜀，器为A，B离子价电子数，他们的有效价电子数定义为 (彩)”=蜀。靠 (2) (兹)一=忍‘稿 (3) 辅，茹分别为A，B离子的每个价电子在键中所呈现的电荷数。户键上的有效价电子数为 (瑞)。=(积)‘／％+(忍)‘／％ (4) 化学键的有效价电子密度为 (孵)’=(～)‘／雌 (5) 眯是声键体积。任一键的极化率为 矿。矿一l=(h)“(砜／E)2 (6) 式中，为产艇的介电常数，l瑶为成键轨道和反键轨道的平均能量间隔，n。为等离子体频 率。I嚣可分为同极化能日和异极化能酽两部分，且