MBE生长实用化高质量p-HEMT结构材料.pdfVIP

型!!!旦：￡要：!堕 苎主墨垒曼要苎燮燮 MBE生长实用化高质量 王宝强曹昕曾一平 (中国科学院半导体研究所北京市912信箱100083) 圣旁、本文给出一种用MBE方法制备实用的p-HE／vtT枋料方法，其2DEG浓度随材料结 c辞旷1 S’1之问。厚 构的不同在2．0．-4．o×1012L,In-2之间，室温霍耳迁移率在5000-6500 度不均匀啦!．5：组分不均匀址1．5；浓度不均匀址1．5；表面缺陷密度100／cm2；通过与器 微波特性：路600-900mW／mm，Gb 直流参数：I∞一800mA／mm，g血加岫I鼬m· 1．背景和向题 随着微波、毫米波器件以及集成电路的发展．P-HEMT功率器件在高功率、高效率、优 良的线性以及能在较大的电压范圈内正常工作等特点，正在被众多的设计人员所重褪．并 被应用于相控阵雷达、卫星通讯和个人通讯系统中。由此产生了巨大的电路及器件需求市 场。这就必将需要一个有实用化背景的微结构材料生产体系做依托，我们正是在此前提下， 开展了MBE生长的高质量双8掺杂p-HEMT结构功率器佯的实用化材料研究。提供优良的 p-HEMT功率器件番要优质的材料。双8掺杂p-HEMT结构材料的研究中存在以下几个问 题。第一，材料在进行了硅6掺杂后，在以后的生长过程中，不可避免地硅簧扩散、分凝， 使之难以形成分布硅蛸的掺杂分布。第二，为了提高沟遭的迁移率．要求异质结界面突变t 且单原子层平整。这也是较难迭到的。第三，为研糊优蘑器件要求材料有较高的二维电子 气(2DEG)密度和较高的载流子迁移事．而提高二维电子气(2DEG)密度和提商载流子 迁移率往往相矛盾．使得材料结构设计时难以在二者之间折衷。第四．对于实用化材料应 达到高质量、高重复稳定。本文充分考虑了以上材料生长的难点．进行了结构设计的优化 和生长工艺的优化．目前已取得重大进展t 2．材料生长及特性 材料生长的采用是EPI公司的GENII型分子柬外延设备?树底采用AXT公哥的半绝 缘CraAs(100)村底。材料的基本结构犀表(1)： 首先．为了解决了硅6掺杂后扩散、分凝的问题，通过优化控制生长时树底的温度．并 采用低温生长的AIGBAs作阻挡层．形成了分布陡蛸的掺杂。在lnGaAs沟遵生长工艺中， 采取了特殊的生长工艺。改善了lnGaAs淘道中In分凝的闯题；采取了界面生长停顿、降 温、生长GaAs单原子层平整界面等技术，解决_了异质鲭界面的突变和单原子层平整。达 到了器件要求的电学参数．通过研究材料质量与器件特性的荛系发现，影响器件特性的一 个关键性因素是外延层中电子从硅5掺杂层转移到沟道中的效率。如果转移效率低，没有转 20∞年10胃，产西·jE海 第七届全国固体薄膜学术会议 移到沟道的电子将在硅6掺杂层中形成—个屏蔽层。这样的材料制备成器件后，该屏蔽 结构 厚度(rim)掺杂浓度 cln’ GaAs 50 2×101s Alo．∞Ga07sAs 30-35 6．Si 4-5×1012cln-2 A】0∞G‰，sAsSp∞目 2．5 k2G虬48 12．15 Akn‰甜sipacer 24 6．Si 1×10．2cm-2 Aln∞G‰硼As 50 GaAs-Buffer SL 。GaAs，A】02如a079As SI-GaA