MOVPE生长的GaN基蓝色%2f绿色LED.pdfVIP

MOVPE生长的GaN基蓝色／绿色LED 陆大成 中国科拳睫睾卑体研宄所半耳体耐辩开放安鼍塞北赢912佰耙．100帅：’ 一}车文担递丁缸们讽Jl坦在■e，■色uO方■的■宄工作鼍■t甩宣行研■的LP一啪^『PE馒鲁．戎一生看{巾 l晡d为有羹区的苴光和蟓光l-0““Ic一取鼻质螬晴掏和lmⅫ，f：．IH量于群螬柏的 ^lA)村雇上先后生长出I；E L∞．善麓■■长分捌为4∞一删H和5∞-5●嘶． 1． 引言 氯化镓(G8H)及其台金(AlGaI州)是非常有用的发射波长在蓝、绿光区至紫外区 的光电材辩．目前蓝、绿光发光二极警(LED)是III族氮化物的主要应用领域n01．它们 与^lGa^B的红光呦构成的三原色使垒彩色LED大屏幕户外显示成为可能。G蜊基白光L即 将引起照明革龠．然而Ga|i基材料生长的技术难度较大，特别是作为膏潭区的GaInN．当I¨ 含量毫时生长更加圈难．实现六方GaH基材料体系的爆光发射有两种途径：一是通过ZlI能 调节适当 级的发光．=悬利用In。Gal．IN三元台叠组分的豢带宽度随In含量增高而降低． 的蛆分，使其发蓝光和绿光．费们对埘眦生长rlIGIN的过程的鹅力学分析衰明纠，由于 IⅡll和G|l}的I■格需敷以及热化学常敷的差别，导熏了InG洲嗣溶体存在混溶辣和气相中‰ 优先于In进入固相．这使得In。G～J材科的生长较为豳难．本文介绍我们瀑怎组用LP_啪VPE n-和520-540n·h”． 结结擂和InG州／G4H量子阱结构L皿，其发射波长分别为430-460 据我们所知，这是田内最先有关六方GeN基绿光L印的报道． 2．实验 我们采用低压金属有机物气相外延生长技术(LP-肿vPE)生长GRN基材料．村底为 (0001)面蓝宝石(rAk03)．在进入反应宣前衬底经化学腐蚀【61最后经去离子水冲洗厉 供干．外廷生长前村底经高温氢气下退火处理．使用三甲基镓(T瞄a)、三甲基铝(TMl)、 乙基=甲基铟(B咖In)和高纯氨(N屿)分别为锿、铝、铟和氮源。采用si叱为11型掺杂 剂m．p型掺杂剂则用二茂镬(c如‰)和二己基锌(D虹n)．特殊设计的双通道石英反应室 以抑制氨与金属有机物之同的预反应r，J．下面以双掺zH和sj的In(；酬为有潭区的 InGaN／AlGaN双异质结构为例介绍工艺过程如下：外延时，先在550^c下在蓝宝石衬底上 生长约20m的G州缓冲层，然后将生长温度升高到1050。c生长3岬厚的掺硅¨_GaN层 工艺封成中‘hⅢ直径的发光=掇管． 3．结果和讨论 圈1示出Zn．si：InG耐／AlG8N_双异质结苴光发光=撮管在5mA、10“、23一芷向电 流下的光谱．光谱的峰值波长为430M，其半蜂竟为60n-．在光谨上叠加的调制可能是由 于嚣件不同界面闻光的干涉效应所引起．该L朗的发光强度与正向电流成亚线性关系．si 在InGaN中形成浅施主能级，并且可以使si：InG酬中的髓发射强度大为提高．_双掺sj和 IIIG8N中．与zn有关的发 zn同样可以使与zn有关韵发射的光荧光强度大大增强．在zIl ·35· 射光 就可 以■ ■ ● t ■ 、 鼍 ■ 赋