应用高频激励源制备低应力氮化硅薄膜研究.pdfVIP

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2017-08-12 发布于北京
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应用高频激励源制备低应力氮化硅薄膜研究.pdf

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第27卷　第 1期固体电子学研究与进展 V o l. 27,N o. 1 　　　　　　　　　　　　　　　　　 2007 年2 月 R ESEA RCH PRO GR ESS O F SSE Feb. , 2007 材料与工艺应用高频激励源制备低应力氮化硅薄膜研究达小丽　郭　霞　关宝璐　董立闽　沈光地 (北京工业大学光电子技术实验室, 北京, 100022) 收稿,收改稿摘要: 研究了在等离子体增强化学气相沉积(PECVD ) 法制备氮化硅薄膜时, 射频功率和腔室压力对氮化硅薄膜应力的影响以及应力与沉积速率的关系。通常认为高频下制备得到的氮化硅膜呈现张应力, 但是通过实验, 表明 ( ) 作为激励源同样可以沉积出呈现压应力的氮化硅薄膜。并使用角度可变光谱型椭偏仪即使应用高频 1356 M H z 观察了薄膜的厚度和低应力氮化硅膜的m app ing 图, 利用傅立叶变换红外光谱仪(FT IR ) 对不同应力状态下的氮化硅膜的化学键结构进行了分析。关键词: 氮化硅; 应力; 等离子体增强化学气相沉积; 腔室压力; 射频功率中图分类号: TN 3042　　文献标识码: A 　　文章编号:(2007) 0113805 Study on L ow Stress Silicon N itr ide D eposited by PECVD with H igh Frequency 　　　　 DA X iao li GUO X ia GUAN Bao lu DON G L im in SH EN Guangdi (Op toelectronic T echnology L ab. , B eij ing U niversity of T echnology , B eij ing , 100022, CH N ) Abstract: W e studied the relation sh ip betw een the R F pow er, the cham ber p ressu re and the film stress fo r depo sited the silicon n itride film by P lasm a Enhance Chem ical V apo r D epo sition ( PECVD ). It show s that even if u sing the R F pow er ( 1356 M H z) as the excitation of p lasm a , the com p ressive silicon n itride film can be ob tained easily. T he low stress film show s the good un ifo rm ity th rough the m app ing m easu