纳米Si薄膜的压阻特性的研究.pdfVIP

纳米Si薄膜的压阻特性研究木 141‘1’1’1‘’1kr‘。’‘’1’14‘；‘ 林鸿溢 武旭辉 何宇亮 (南京大学物理系，南京210093) (北京理工太学电子工程系，北京100081) 摘要纳米si薄膜由大量的超微si晶粒和大量的晶粒闯界面区组成。这一特殊的结构造 成纳米si薄膜具有较大的压阻效应。本文讨论了薄膜微结构对其压阻效应的作用，认为纳 米Si薄膜材料是一种优秀的传感器材料。 关键词薄膜，纳米si薄膜，压阻效应 1引言 and scaleseience 纳米科学技术(Nano [【“】，研究屯子、原了和分子运动规律和特性的崭新高技术学科。其学科领域包括纳米物理 material 有特定功能的产品。这一目标的实现意味着纳米技术改变人类生活和生产方式的时代的来 临。 开展纳米科学技术研究．是一项开发物质的潜在信息和结构潜力的重大工程o】，它将使 单位体积物质储存和处理信息的能力实现又一次飞跃．导致人类认识和开发世界的能力出现 重大突破，从而对国民经济和国防实力产生深远的影响。 本文报导了纳米硅(nC-Si：H)薄膜的压阻效应。阐述了纳米硅薄膜的特殊的两相结构特 征，即由具有纳米量级尺度的大量晶粒(晶态相)和晶粒闯(厚度在2～3个原子层)大量 的界面区(界面相)组成，它们各占薄膜体积的50％．也就是它们所占的体积分数相等。这 种特殊结构，既不同于晶态材料，也不同于非晶态材料，被称为第三类型固体材料。结构的 特殊性导致薄膜特性的优异性。如具有高电导率o，低激活能△E．在可见光和红外波段有 比单晶硅和非晶硅高得多的光吸收系数a，特别令人感兴趣的是具有高的压阻效应，文中讨 论了nc—si：H薄膜压阻效应的测量结果及其与薄膜结构的关联[10““J。 2纳米硅制备 纳米硅薄膜在PECVD系统中制各。圈1是PECVD系统示意图。反应气体为以如高度稀 散射谱和x射线衍射实验的结果。 薄膜淀积系统中，高频源的功率、衬底温度和反应气体的浓度等，对纳米硅薄膜的生长 。 都是重要因素，实验中反应气体SiH。用H2气体进行高度稀释，以提供足够多的[H]基，同时 施加负偏压，使反应基[SiH。]+到达衬底表面有适当的能量．有利于形成适当的晶态成分， 。‘7 2 而且起到排斥氧负离子的柞用，有利于薄膜质量的提高。总之，制各技术上要仔细选择工艺 条件。 l‘一o_’’ ·国家自然科学基金和国防预研基金资助 ·3· L —■五F了T_■——一1。翻翻冈嚣F———磊_～一 射囊 电楹