纳米半导体电容型CO-%2c2-气体敏感元件研制.pdfVIP

纳米半导体电容型∞2气体敏感元件研制 廖波 张捷 韦钦 北京理工大学电子工程系，北京，100081国际材料物理中心，沈阳，110015 播要：本文采用共沉淀与机械物理固相效应相结合的方法，经过电价掺杂半导化工艺制备 了高纯纳米11型BaTiO。．以此半导化粉体为原料，进行异质p型CuO半导化粉体掺杂，烧 性测试动态实验装置，考察了该元件对c0。气体的敏感性能。实验结果表明，所制元件的 电容性质在400-750K温度范围内，对cO。气体均呈现～定的敏感特性．属于电容型气敏元 件．该元件可测c0。气体浓度范围广(0％～95％)，低浓度(0-5％)范围内，浓度与电容变 化呈线性关系，利于直接标定，是一种很有发展前途的新型气敏元件。 I引曹 近年来，环境气体C02传感器的开发应用受到重视，认为一些材料及方案可利用it-3]。 其中，固态电解质型传感器研究得较为活跃““]，它利用工作电极上涂布的碱性碳酸盐和气 相c0：间形成电位差来检测∞。．但构造复杂，且碱性碳酸盐易潮解，受水蒸气强烈影响， 对电极制各要求严格【1】。金属氧化物半导体型传感器以往由于c0，化学性质稳定，被认为用 于c0。检测是不可能的，但有报告表明‘“，添加碱性氧化物的SnO，对c0，有一定的敏感性， 然而选择性差．稳定性不够理想。上述几种主要检测方式都采用与直流测试有关的信号处 理。1990年，日本学者Ishihara首次发现P—ii型复合氧化物对cO，气体具有敏感性，并提出 了一种新型的半导体电容式传感器n】．并一直不断进行着探讨。与其它传感器比较起来． 它构造简单，利于小型化、集成化．灵敏度和选择性好．测试范围较广，是一种很有发展 前途的C02传感器。而且，这种方式采用与交流测试有关的信号处理．不易受测试环境的影 响、能得到高的信噪比、增幅也容易。适用于高灵敏度的分折。目前现状为：利用电容变 化的传感器除了湿度传感器正被讨论外，国内外几乎没有什么研究[B】。本文在Ishihara的 基础上，采取了不同的湿法制备BaTiO。21艺，将纳米理论和半导化理论引入气敏元件的研 制，进一步从深度和广度上拓展了电容型气体传感器的研究方向。 2实■ 2．1气敏元件的■鲁 试剂。经净化的HJi03浆化处理后，形成的胶体与Ba(N0=；)。溶液充分搅拌混合，加入计量 好的(瑚。)归％溶液，用NIl。-如0调节溶液的PH值，进行共沉淀反应后，经过滤、洗涤、干 燥、煅烧，即可制得高纯BaTi0l粉体。经机械物理固相效应处理，获得纳米粉体。通过掺 杂半导化工艺制备n型BaTi03半导体。以所制备的纳米半导化BaTi吼粉体为主体原料，机 械均匀掺杂一定摩尔配比的所制纳米CuO粉体，将混合粉体压制成$13IllⅡI．厚度0．6mm的圆 片，5000C下烧结5小时，然后两面烧渗直径●6m的导电银浆，引Pt线，制成待测敏感元 件。 2．2气t元件特性舅试 以动态配气法为基准．配备温控、检气、测试系统，研制适合C02气敏元件特性检测 的实验装置，具体如文献[9]。实验考察元件的主要敏感特性。 3薯果与讨论 3．1元件对瑚k气体的t■响应恢复特性 由电子陶瓷CuO-BaTiO。作为电介质，两面烧渗银电极制成功能电容型元件，所咀电容 是最主要的电性质．但元件不仅有电容．也存在电阻和阻抗，为了比较三种电参数对C如 的敏感特性，实验分别考察了它们对2％C0，气体的响应恢复特性，以期得到最为敏感的电 ·224· ——-一一 i i…7一———————百礓谣曩匿硼r再_ {：；1￡，r 性质指标。电容、电阻和阻抗灵敏度分别用Cs／Co、Rs／Ro、Zs／Zo表示。响应(恢复)时 间以大气流与2％C0：混合气流进行切换瞬间开始秒表计时。实验结果如图3-I所示。 u．；，．，一一；，，，lt、 0 1∞2∞ 300(90 f=lOOKllz，T=701Kt