铜铟镓硒柔性薄膜太阳电池的制备及性能表征.pdfVIP

ji 铜铟镓硒柔性薄膜太阳电池的制备及性能表征 方小红，赵彦民，杨 立，冯金晖，李 巍 (中国电子科技集团公司第十八研究所 化学与物理电源技术重点实验室，天津300381) 摘要：以厚度为 25—70 m的钛箔为衬底，直流磁控溅射法制备O。8 1．2 m 的底 电极Mo薄膜，而后以Culn和 CuGa靶交替溅射制得Cu-ln-Ga金属预制膜，再以真空硒化法制得Culn， 一 ,,Ga~Se薄膜。以化学浴沉积法制备缓冲层 CdS，射 频磁 控 溅 射 法 制备 ZnO 和 ZAO，直 流 磁 控 溅 射 法 制备 上 电极 ，制得 结 构 为 衬 底 Ti／Mo／CIG S，cdS亿nO亿AoA／l，其光电转换效率达到7．3％(25oC，AM0)。 关键词：铜铟镓硒 ；薄膜；太阳电池：柔性 中图分类号：TM914．4 文献标识码：A 文章编号：1002—087X(2009)05—0406—03 PreparationandpropertyofCuIn