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ITO透明导电薄膜的制备工艺研究.pdf
第28卷第3期 光 电 子 技 术 V o l. 28 N o. 3
2008 年9 月 O P TO EL ECTRON IC T ECHN OL O GY Sep t. 2008
应用技术
ITO 透明导电薄膜的制备工艺研究
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朱小娟 , 李新贝
( 1. 陕西科技大学 电气与信息工程学院, 西安 7 1002 1; 2. 中国航天科技集团 五院五一三所, 山东 烟台 264000)
摘 要: 采用溶胶凝胶法以InC l3 ·4H 2O 和SnC l4 ·5H 2O 为前驱物在玻璃基片上制备了ITO
透明导电薄膜。详细研究了热处理初始温度、溶胶浓度、热处理温度、热处理时间、铟锡比例以及镀
膜层数对薄膜光电特性的影响, 得出了最佳工艺条件。结果表明, 采用最佳工艺制备的ITO 透明导
电薄膜为体心立方的 2 3 结构, 4+ 离子取代 2 3 晶格中的 3+ 离子, 样品不含低价氧化锡, 薄
In O Sn In O In
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膜方阻达到600 , 可见光透过率达到83% 。
关键词: 氧化铟锡薄膜; 溶胶凝胶法; 方阻; 透光率
中图分类号: TN 304. 055 文献标识码: A 文章编号: 1005488X (2008)
Te chno log ic a l S tudy on P re p a ra t ion o f Ind ium T in O x id e Th in F ilm
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ZHU X iao ju an L I X in b ei
( 1. E lec tr ica l and I nf orm a tion E ng ineer ing Colleg e, S h aanx i U n iv ers ity of S c ience and
, ’ 7 1002 1, ;
T ech nology X i an CH N
2. . 5 13 , 264000, )
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