薄膜无源元件集成技术的发展现状.pdfVIP

第30卷第4期 篥 遒瓣参 VoI．3O No．4 2012年 l2月 JlcHENGDlANLUT0NGxUN Dec．2012 薄膜无源元件集成技术的发展现状 汪继芳 孙 涛 王守政 (北方通用电子集团有限公司微电子部 蚌埠 233042) 摘 要 薄膜无源元件集成技术其成本低、可靠性高、环保节能、与半导体工艺兼容，通常能提供优 良的元件精度和功能密度，成为无源元件集成技术发展的主流方向。薄膜集成无源工艺能制作各种电 阻器、电容器和电感器元件，以及低电感接地板和连接无源元件的多层传输线布线，将各种功能薄膜集 成在一起已经成为可能。电子无源元件和有源器件的集成，已成为发展电子新技术的一个突出亮点。 关键词 无源器件 薄膜集成 多芯片组件 上制造。很重要的一点是工艺要既能满足所要求 1 引 言 的元件性能和精度指标，工艺还不复杂，需要掩模 随着有源器件集成度不断提高，越来越多的 数最少(一般为6—10张版)。每个无源元件通 功能被集成到单片上，这对集成无源元件形成很 常占据不到 lmm 的面积，以便能在面积和成本 大的压力，电子产品的射频部分尤其是这样。一 方面与表面贴装技术竞争。在适于射频集成的多 个典型的移动电话产品可以包含400多个元器 种技术中，薄膜无源元件集成技术通常能提供优 件，有源器件数不到20个，其余380多个无源元 良的元件精度和功能密度，以及集成度高、体积小 件 占电话电路板80％左右的面积和70％的产品 和重量轻的产品，从而成为无源集成技术发展的 组装成本。因此，无论是减小整个产品的尺寸与 主流方向。 重量，还是在现有的产品体积内增加功能，集成无 2 薄膜电阻 源元件技术都能发挥很大的作用。 目前可用的集成无源元件技术有三大类，分 薄膜电阻的阻值范围在 10—100kQ之间。 别是薄膜技术、低温共烧陶瓷(LTCC)技术、预埋 采用 10012／口薄膜电阻材料，用简单几何图形可 元件印制电路板(PCB)技术。其中基于微电子工 以制作 1O 一1k 的高性能电阻。用蛇形图案 艺的薄膜无源元件集成技术，因其成本低、精度 可以制作更高阻值的电阻。薄膜电阻材料主要是 高、可靠性高、环保节能、与半导体工艺兼容等优 根据它们的电阻率、工艺的兼容性和阻值温度系 点，开始大最应用。薄膜集成无源工艺能制作各 数来选定的。通常还要求在加负载情况下性能稳 种电阻器、电容器和电感器元件，以及低电感接地 定性优于0．5％。在温度变化时，相邻电阻器的 板和连接无源元件的多层传输线布线。薄膜结构 跟踪精度与匹配精度均优于0．5％。表 1示出了 可在硅基板、陶瓷基板、金属基板等多种衬底材料 有代表性的集成无源薄膜电阻材料的特性。 表 1 薄膜电阻材料特性 材料 组份 电阻率(Q ·m) 厚度 (ilm) 方阻(11／口) TCR(10 K ) NiCr 60Ni40Cr 120×10一 12 100 l00～400 SiCr 24Si76Cr 800×10一 40 20o0 —450 TaNx 与淀积有关 40O×10一 40